Pembawa Wafer Grafit Bersalut SiC

Dalam fabrikasi wafer semikonduktor, lapisan eptaxial perlu ditanam pada substrat wafer supaya peranti semikonduktor boleh dihasilkan dalam langkah-langkah seterusnya. Sebagai komponen boleh guna yang amat diperlukan dalam proses epitaxial wafer yang secara langsung menghubungi substrat wafer, prestasi pembawa wafer grafit bersalut SiC memberi kesan yang ketara ke atas keseragaman dan ketulenan pertumbuhan bahan epitaxial. Atas sebab ini, adalah penting bagi pengguna untuk memilih pembawa wafer grafit bersalut SiC yang optimum.

Mengguna pakai grafit ketulenan tinggi untuk mengeluarkan asas pembawa wafer dan menggunakan pakaian seragamSalutan CVD SiCuntuk memberikan pembawa wafer "perisai pelindung", Semicorex berdedikasi untuk menawarkan pembawa wafer grafit bersalut SiC berkualiti tinggi yang mampu memberikan sokongan struktur yang boleh dipercayai untuk substrat wafer dalam proses epitaxial yang mencabar, dengan itu memastikan pertumbuhan bahan epitaxial yang stabil dan boleh dipercayai.

1. Asas grafit premium

A. Tapak grafit mempunyai kekonduksian terma yang unggul, yang membolehkan pengagihan haba yang cepat dan sekata semasa proses epitaxial.

B. Menampilkan pekali pengembangan haba yang agak rendah, asas grafit boleh memastikan kamiPembawa wafer grafit bersalut SiCmenahan kitaran haba yang kerap tanpa mudah berubah bentuk.

C. Bahan grafit mempunyai kekuatan mekanikal yang sangat baik, jadi pembawa wafer grafit bersalut SiC kami dapat menyokong substrat wafer dengan selamat semasa aplikasi epitaksi jangka panjang.

2. Salutan SiC CVD yang boleh dipercayai

A. Kebersihan sangat tinggi

Ketulenan salutan SiC CVD boleh mencapai tahap ppb, yang meminimumkan pencemaran antara pembawa wafer dan substrat wafer, sekali gus memenuhi sepenuhnya keperluan kebersihan ketat industri semikonduktor.

B. Perlindungan yang boleh dipercayai

Salutan SiC CVD mempunyai struktur yang padat dan mampu mengasingkan sepenuhnya asas grafit daripada persekitaran suhu tinggi dan menghakis tinggi serta menghalang kakisan kimia dan pengoksidaan asas grafit secara berkesan, sekali gus memastikan operasi yang boleh dipercayai pembawa wafer grafit bersalut SiC kami dalam perkhidmatan jangka panjang.

C. Kekuatan ikatan yang kuat

Salutan SiC CVD memberikan kekonduksian terma yang luar biasa dan pengembangan haba yang serupa kepada asas grafit. Ia mempamerkan kekuatan ikatan yang kuat dengan asas grafit dan kurang terdedah kepada keretakan atau pengelupasan walaupun di bawah perubahan suhu yang dramatik.