Grafit Berliang untuk Pertumbuhan Kristal SiC Berkualiti Tinggi dengan Kaedah PVT

Silicon Carbide (SiC) telah muncul sebagai bahan utama dalam bidang teknologi semikonduktor, menawarkan sifat luar biasa yang menjadikannya sangat diingini untuk pelbagai aplikasi elektronik dan optoelektronik. Pengeluaran kristal tunggal SiC berkualiti tinggi adalah penting untuk memajukan keupayaan peranti seperti elektronik kuasa, LED dan peranti frekuensi tinggi. Dalam artikel ini, kita menyelidiki kepentingan grafit berliang dalam kaedah Pengangkutan Wap Fizikal (PVT) untuk pertumbuhan kristal tunggal 4H-SiC.

Kaedah PVT ialah teknik yang digunakan secara meluas untuk penghasilan kristal tunggal SiC. Proses ini melibatkan pemejalwapan bahan sumber SiC dalam persekitaran suhu tinggi, diikuti dengan pemeluwapan mereka pada kristal benih untuk membentuk struktur kristal tunggal. Kejayaan kaedah ini sangat bergantung pada keadaan dalam ruang pertumbuhan, termasuk suhu, tekanan, dan bahan yang digunakan.

Grafit berliang, dengan struktur dan sifatnya yang unik, memainkan peranan penting dalam meningkatkan proses pertumbuhan kristal SiC. Kristal SiC yang ditanam dengan kaedah PVT tradisional akan mempunyai pelbagai bentuk kristal. Walau bagaimanapun, menggunakan pijar grafit berliang dalam relau boleh meningkatkan ketulenan kristal tunggal 4H-SiC.

Penggabungan grafit berliang dalam kaedah PVT untuk pertumbuhan kristal tunggal 4H-SiC mewakili kemajuan yang ketara dalam bidang teknologi semikonduktor. Sifat unik grafit berliang menyumbang kepada aliran gas yang dipertingkatkan, kehomogenan suhu, pengurangan tegasan, dan pelesapan haba yang lebih baik. Faktor-faktor ini secara kolektif menghasilkan pengeluaran kristal tunggal SiC berkualiti tinggi dengan lebih sedikit kecacatan, membuka jalan untuk pembangunan peranti elektronik dan optoelektronik yang lebih cekap dan boleh dipercayai. Memandangkan industri semikonduktor terus berkembang, penggunaan grafit berliang dalam proses pertumbuhan kristal SiC bersedia untuk memainkan peranan penting dalam membentuk masa depan bahan dan peranti elektronik.