Teknologi proses SiC Pemendapan Wap Kimia (CVD) adalah penting untuk mengeluarkan elektronik kuasa berprestasi tinggi, membolehkan pertumbuhan epitaxial yang tepat bagi lapisan karbida silikon ketulenan tinggi pada wafer substrat. Dengan memanfaatkan jurang jalur lebar SiC dan kekonduksian terma yan......
Baca LagiDalam proses pemendapan wap kimia (CVD), gas yang digunakan terutamanya termasuk gas reaktan dan gas pembawa. Gas reaktan menyediakan atom atau molekul untuk bahan termendap, manakala gas pembawa digunakan untuk mencairkan dan mengawal persekitaran tindak balas. Berikut adalah beberapa gas CVD yang ......
Baca LagiSenario aplikasi yang berbeza mempunyai keperluan prestasi yang berbeza-beza untuk produk grafit, menjadikan pemilihan bahan yang tepat sebagai langkah teras dalam aplikasi produk grafit. Memilih komponen grafit dengan prestasi yang sepadan dengan senario aplikasi bukan sahaja dapat memanjangkan hay......
Baca LagiSebelum membincangkan teknologi proses silikon karbida (Sic) Pemendapan Wap Kimia (CVD), mari kita semak beberapa pengetahuan asas tentang "pemendapan wap kimia." Pemendapan Wap Kimia (CVD) ialah teknik yang biasa digunakan untuk menyediakan pelbagai salutan. Ia melibatkan pemendapan bahan tindak......
Baca LagiMedan haba pertumbuhan kristal tunggal ialah taburan spatial suhu dalam relau suhu tinggi semasa proses pertumbuhan kristal tunggal, yang secara langsung mempengaruhi kualiti, kadar pertumbuhan, dan kadar pembentukan kristal bagi kristal tunggal. Medan terma boleh dibahagikan kepada jenis keadaan ma......
Baca Lagi