Semicorex boleh menyediakan pelanggan dengan pelbagai spesifikasi dan wafer SOI berkualiti tinggi (Silicon On Insulator - Silicon on Insulator) untuk pelbagai aplikasi pelanggan termasuk MEMS, peranti kuasa, penderia tekanan dan pembuatan litar bersepadu CMOS. Wafer SOI menawarkan penyelesaian yang baik untuk peranti berkelajuan tinggi dan kuasa rendah dan secara meluas dianggap sebagai penyelesaian baharu untuk peranti voltan tinggi dan RF. Wafer SOI ialah struktur seperti sandwic (Sandwic) dengan tiga lapisan; termasuk lapisan atas (lapisan peranti), lapisan oksigen terkubur tengah (untuk penebat lapisan SiO2), dan substrat bawah (silikon pukal). Wafer SOI dihasilkan menggunakan kaedah SIMOX dan teknologi ikatan wafer, yang membolehkan lapisan peranti yang lebih nipis dan lebih tepat, keseragaman ketebalan seragam dan ketumpatan kecacatan yang rendah, antara matlamat lain.
Semicorex menawarkan wafer SOI dengan diameter 6", 8", dan 12" pelbagai pilihan kerintangan berjulat dari 0.001 hingga 100,000 ohm-cm, dan pelbagai ketebalan lapisan peranti daripada 100nm (1000Å) hingga 300um untuk memenuhi SOI yang unik keperluan ramai pelanggan.
Berdasarkan permintaan yang pelbagai dan kukuh daripada pelanggan kami, kami boleh menyediakan wafer SOI tersuai untuk.