Mengetahui MOCVD

MOCVD ialah teknologi pertumbuhan epitaxial fasa wap baharu yang dibangunkan berdasarkan pertumbuhan epitaxial fasa wap (VPE). MOCVD menggunakan sebatian organik unsur III dan II dan hidrida unsur V dan VI sebagai bahan sumber pertumbuhan kristal. Ia melakukan epitaksi fasa wap pada substrat melalui tindak balas penguraian terma untuk mengembangkan pelbagai kumpulan utama III-V, bahan kristal tunggal lapisan nipis bagi semikonduktor kompaun subkumpulan II-VI dan penyelesaian pepejal berbilang unsurnya. Biasanya pertumbuhan kristal dalam sistem MOCVD dijalankan dalam ruang tindak balas kuarza dinding sejuk (keluli tahan karat) dengan H2 mengalir di bawah tekanan normal atau tekanan rendah (10-100Torr). Suhu substrat ialah 500-1200°C, dan asas grafit dipanaskan dengan DC ( Substrat substrat berada di atas asas grafit), dan H2 dibuih melalui sumber cecair terkawal suhu untuk membawa sebatian logam-organik ke zon pertumbuhan.

MOCVD mempunyai pelbagai aplikasi dan boleh mengembangkan hampir semua sebatian dan semikonduktor aloi. Ia sangat sesuai untuk menanam pelbagai bahan heterostruktur. Ia juga boleh mengembangkan lapisan epitaxial ultra-nipis dan memperoleh peralihan antara muka yang sangat curam. Pertumbuhannya mudah dikawal dan boleh tumbuh dengan ketulenan yang sangat tinggi. Bahan berkualiti tinggi, lapisan epitaxial mempunyai keseragaman yang baik di kawasan yang luas dan boleh dihasilkan secara besar-besaran.

Semicorex menawarkan kualiti tinggiSalutan CVD SiCbahagian grafit. Jika anda mempunyai sebarang pertanyaan atau memerlukan butiran tambahan, sila jangan teragak-agak untuk menghubungi kami.

Hubungi # telefon +86-13567891907

E-mel: sales@semicorex.com