Penggunaan SiC dan GaN dalam kenderaan elektrik

SiCMOSFET ialah transistor yang menawarkan ketumpatan kuasa tinggi, kecekapan yang dipertingkatkan dan kadar kegagalan yang rendah pada suhu tinggi. Kelebihan SiC MOSFET ini membawa banyak faedah kepada kenderaan elektrik (EV), termasuk jarak pemanduan yang lebih panjang, pengecasan lebih pantas dan kenderaan elektrik bateri (BEV) yang berpotensi lebih rendah kosnya. Sepanjang lima tahun yang lalu,SiCMOSFET telah digunakan secara meluas dalam elektronik kuasa EV dalam kenderaan daripada OEM seperti Tesla dan Hyundai. Malah, penyongsang SiC menyumbang 28% daripada pasaran BEV pada 2023.

GaNHEMT ialah teknologi baharu yang berkemungkinan menjadi pengganggu utama seterusnya dalam pasaran EV. HEMT GaN menawarkan prestasi kecekapan yang unggul, tetapi masih menghadapi cabaran ketara dalam penggunaan, seperti keupayaan pengendalian kuasa muktamad. Terdapat banyak pertindihan antara SiC MOSFET dan GaN HEMT, dan kedua-duanya akan mendapat tempat dalam pasaran semikonduktor kuasa automotif.

Apabila kemudahan meningkat dengan pesat, halangan kepada prestasi SiC MOSFET, kebolehpercayaan dan kapasiti pengeluaran telah ditangani, dan kosnya telah menurun dengan ketara. Walaupun harga purata MOSFET SiC masih 3 kali lebih mahal daripada Si IGBT yang setara, ciri-cirinya menjadikannya popular dengan pengeluar seperti Tesla, Hyundai dan BYD. Syarikat lain juga telah mengumumkan penggunaan SiC MOSFET pada masa hadapan, termasuk Stellantis, Mercedes-Benz, dan Perikatan Renault-Nissan-Mitsubishi.

SiCMOSFET mempunyai faktor bentuk yang lebih kecil dan juga boleh mengurangkan saiz komponen pasif yang disertakan seperti induktor dalam penyongsang daya tarikan. Dengan menggantikan Si IGBT dalam penyongsang dengan SiC MOSFET, BEV boleh menjadi lebih ringan dan lebih cekap, dan julatnya boleh ditingkatkan sebanyak kira-kira 7%, menangani kebimbangan pengguna tentang julat. Sebaliknya, dengan menggunakan SiC MOSFET, julat yang sama boleh diperoleh dengan kapasiti bateri yang dikurangkan, membantu menghasilkan kenderaan yang lebih ringan, kos lebih rendah dan lebih mampan.

Apabila kapasiti bateri meningkat, penjimatan tenaga keseluruhan dicapai dengan menggunakanSiCMOSFET juga meningkat. Pada mulanya,SiCMOSFET dan bateri yang lebih besar dikhaskan untuk EV pertengahan hingga mewah dengan bateri yang lebih besar. Dengan kenderaan arus perdana dan ekonomi baharu seperti MG MG4, BYD Dolphin dan Volvo EX30 dengan kapasiti bateri melebihi 50kWj, MOSFET SiC telah menembusi segmen kereta penumpang arus perdana di Eropah dan China. Ini telah disertai dengan petunjuk yang diperoleh oleh Amerika Syarikat, dengan Tesla menjadi OEM utama pertama yang menggunakan MOSFET SiC dalam Model 3nya. Terdapat laporan bahawa permintaan untuk MOSFET SiC akan berkembang 10 kali ganda antara 2023 dan 2035, didorong terutamanya oleh penggunaan platform kecekapan yang lebih tinggi dan voltan yang lebih tinggi untuk digunakan dalam penyongsang, pengecas on-board dan penukar DC-DC.

Semicorex menawarkan kualiti tinggiwafer SiCdanwafer GaN. Jika anda mempunyai sebarang pertanyaan atau memerlukan butiran tambahan, sila jangan teragak-agak untuk menghubungi kami.

Hubungi # telefon +86-13567891907

E-mel: sales@semicorex.com