Rumah > Berita > Berita Industri

Pemotongan SiC

2024-07-15

Silikon karbida (SiC)sangat digemari dalam industri semikonduktor kerana sifat fizikal dan kimianya yang sangat baik. Walau bagaimanapun, kekerasan dan kerapuhan yang tinggiSiCmenimbulkan cabaran yang besar kepada pemprosesannya.

Pemotongan dawai berlian adalah yang biasa digunakanSiCkaedah pemotongan dan sesuai untuk penyediaan wafer SiC bersaiz besar.


Kelebihan:


Kecekapan tinggi: Dengan kelajuan pemotongan yang pantas, teknologi pemotongan wayar berlian telah menjadi kaedah pilihan untuk pengeluaran besar-besaran wafer SiC bersaiz besar, dengan ketara meningkatkan kecekapan pengeluaran.


Kerosakan haba yang rendah: Berbanding dengan kaedah pemotongan tradisional, pemotongan dawai berlian menghasilkan kurang haba semasa operasi, dengan berkesan mengurangkan kerosakan haba pada kristal SiC dan mengekalkan integriti bahan.


Kualiti permukaan yang baik: Kekasaran permukaan wafer SiC yang diperoleh selepas pemotongan adalah rendah, yang menyediakan asas yang baik untuk proses pengisaran dan penggilapan seterusnya dan membantu mencapai rawatan permukaan yang berkualiti tinggi.


kekurangan:


Kos peralatan tinggi: Peralatan pemotongan wayar berlian memerlukan pelaburan awal yang tinggi dan kos penyelenggaraan juga tinggi, yang boleh meningkatkan kos pengeluaran keseluruhan.


Kehilangan wayar: Wayar berlian akan haus semasa proses pemotongan berterusan dan perlu diganti dengan kerap, yang bukan sahaja meningkatkan kos bahan, tetapi juga meningkatkan beban kerja penyelenggaraan.


Ketepatan pemotongan terhad: Walaupun pemotongan wayar berlian berfungsi dengan baik dalam aplikasi biasa, ketepatan pemotongannya mungkin tidak memenuhi keperluan yang lebih ketat di mana bentuk kompleks atau struktur mikro perlu diproses.


Walaupun terdapat beberapa cabaran, teknologi pemotongan wayar berlian kekal sebagai alat yang berkuasa dalam pembuatan wafer SiC. Memandangkan teknologi terus maju dan keberkesanan kos bertambah baik, kaedah ini dijangka memainkan peranan yang lebih besar dalamwafer SiCpemprosesan pada masa hadapan.


X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept