Bot SiC lwn. Bot Kuarza: Penggunaan Semasa dan Trend Masa Depan dalam Pembuatan Semikonduktor

1. Dinamik Penggantian:Bot SiC Mencabar Bot Kuarza

Kedua-duanyaBot SiC dan kuarzamelaksanakan fungsi yang sama dalam pembuatan semikonduktor. Walau bagaimanapun,bot SiC, walaupun kosnya lebih tinggi, menawarkan prestasi unggul, menjadikan mereka alternatif yang semakin menarik untukbot kuarza, terutamanya dalam menuntut peralatan pemprosesan sel solar seperti Pemendapan Wap Kimia Bertekanan Rendah (LPCVD) dan relau penyebaran boron. Dalam proses yang kurang menuntut, kedua-dua bahan wujud bersama, dengan harga menjadi faktor penentu utama bagi pengeluar.

(1) Penggantian dalam LPCVD dan Relau Resapan Boron

LPCVD adalah penting untuk mencipta lapisan oksida terowong dan mendepositkan lapisan polysilicon pada sel solar. Proses ini melibatkan suhu tinggi di mana bot mudah terdedah kepada pemendapan silikon pada permukaannya.Kuarza, dengan pekali pengembangan terma yang berbeza dengan ketara berbanding silikon, memerlukan pembersihan asid yang kerap untuk mengeluarkan mendapan ini dan mengelakkan keretakan. Pembersihan yang kerap ini, ditambah dengankuarzaKekuatan suhu tinggi yang lebih rendah, membawa kepada jangka hayat yang lebih pendek dan peningkatan kos operasi.

bot SiC, sebaliknya, mempunyai pekali pengembangan haba yang hampir dengan silikon, menghapuskan keperluan untuk pembersihan asid. Kekuatan suhu tinggi yang unggul seterusnya menyumbang kepada jangka hayat yang lebih lama, menjadikannya pengganti yang idealkuarzadalam proses LPCVD.

Relau resapan boron digunakan untuk mencipta pemancar jenis-P pada wafer silikon jenis-N dengan mendopankannya dengan boron. Suhu tinggi yang terlibat dalam proses ini juga menimbulkan cabaran untukbot kuarzakerana kekuatan suhu tinggi yang lebih rendah. sekali lagi,bot SiCmuncul sebagai pengganti yang sesuai, menawarkan ketahanan yang jauh lebih tinggi dalam keadaan yang mencabar ini.

(2) Penggantian dalam Peralatan Pemprosesan Lain

manakalaSiC bermegahprestasi unggul, kosnya lebih tinggi berbanding dengankuarzamengehadkan penggunaannya dalam aplikasi yang kurang menuntut di mana perbezaan jangka hayat antara kedua-dua bahan adalah kurang ketara. Pengilang sering menimbang pertukaran prestasi harga apabila membuat pilihan mereka. Walau bagaimanapun, sebagai kos pengeluaran untukbot SiCberkurangan dan ketersediaan pasaran mereka bertambah baik, mereka dijangka menimbulkan persaingan yang lebih kuat, berpotensi mencetuskan pelarasan harga yang boleh mencabar lagi penguasaanbot kuarza.

2. Kadar Penggunaan Semasa:Bot SiCMendapat Tanah

Dalam konteks teknologi Pasivated Emitter dan Rear Cell (PERC), bot digunakan terutamanya semasa penyebaran dan penyepuhlindapan fosforus bahagian hadapan. Teknologi Tunnel Oxide Passivated Contact (TOPCon) pula memerlukan bot dalam resapan boron sisi hadapan, LPCVD, resapan fosforus sisi belakang dan penyepuhlindapan.

Pada masa ini,bot SiCdigunakan terutamanya dalam peringkat LPCVD pengeluaran TOPCon. Walaupun aplikasinya dalam penyebaran boron semakin menarik dan telah lulus ujian pengesahan awal, kadar penggunaan keseluruhannya dalam industri pemprosesan sel suria kekal rendah.

3. Trend Masa Depan: SiC Bersedia untuk Pertumbuhan

Beberapa faktor menunjuk ke arah masa depan yang menjanjikan untukbot SiC, dengan bahagian pasaran mereka dijangka meningkat dengan ketara. Faktor-faktor ini termasuk:

Prestasi Unggul: Sifat bahan sedia ada SiC, terutamanya dalam aplikasi suhu tinggi seperti LPCVD dan penyebaran boron, menawarkan kelebihan yang jelas berbanding kuarza, diterjemahkan kepada jangka hayat yang lebih lama dan mengurangkan kos operasi.

Dorongan Industri untuk Pengurangan Kos: Industri fotovoltaik sentiasa berusaha untuk pengurangan kos dan peningkatan kecekapan. Saiz wafer yang lebih besar menjadi semakin popular sebagai cara untuk mencapai matlamat ini. Dalam konteks ini, prestasi unggul dan ketahanan bot SiC menjadi lebih berharga.

Permintaan yang semakin meningkat: Memandangkan sektor tenaga suria terus berkembang, permintaan untuk komponen berprestasi tinggi dan boleh dipercayai sepertibot SiCpasti akan naik.

Walaupun cabaran masih ada, termasuk meningkatkan pengeluaran untuk memenuhi permintaan yang semakin meningkat dan memastikan kualiti yang konsisten, masa depanbot SiCdalam industri semikonduktor kelihatan cerah. Prestasi unggul mereka, digabungkan dengan pemacu industri untuk penyelesaian kos efektif, meletakkan mereka sebagai pemboleh utama bagi pembuatan sel solar generasi akan datang.