Infineon Memperkenalkan Wafer GaN Kuasa 300mm Pertama di Dunia

Baru-baru ini, Infineon Technologies mengumumkan kejayaan pembangunan teknologi wafer Gallium Nitride (GaN) kuasa 300mm pertama di dunia. Ini menjadikan mereka syarikat pertama yang menguasai teknologi terobosan ini dan mencapai pengeluaran besar-besaran dalam persekitaran pembuatan berskala besar dan berkapasiti tinggi sedia ada. Inovasi ini menandakan kemajuan yang ketara dalam pasaran semikonduktor kuasa berasaskan GaN.

Bagaimanakah Teknologi 300mm Berbanding dengan Teknologi 200mm?

Berbanding dengan teknologi 200mm, menggunakan wafer 300mm membolehkan pengeluaran 2.3 kali lebih banyak cip GaN setiap wafer, meningkatkan kecekapan dan output pengeluaran dengan ketara. Kejayaan ini bukan sahaja menyatukan kepimpinan Infineon dalam bidang sistem kuasa tetapi juga mempercepatkan pembangunan pesat teknologi GaN.

Apa Kata Ketua Pegawai Eksekutif Infineon Mengenai Pencapaian Ini?

Ketua Pegawai Eksekutif Infineon Technologies Jochen Hanebeck menyatakan, “Pencapaian luar biasa ini menunjukkan kekuatan teguh kami dalam inovasi dan merupakan bukti usaha gigih pasukan global kami. Kami amat percaya bahawa kejayaan teknologi ini akan membentuk semula norma industri dan membuka kunci potensi penuh teknologi GaN. Hampir setahun selepas pengambilalihan GaN Systems, kami sekali lagi mempamerkan keazaman kami untuk menerajui pasaran GaN yang berkembang pesat. Sebagai peneraju dalam sistem kuasa, Infineon telah memperoleh kelebihan daya saing dalam tiga bahan utama: silikon, silikon karbida dan GaN.”

Ketua Pegawai Eksekutif Infineon Jochen Hanebeck memegang salah satu daripada wafer GaN Power 300mm pertama di dunia yang dihasilkan dalam persekitaran pembuatan volum tinggi yang sedia ada dan boleh skala.

Mengapa Teknologi GaN 300mm Berfaedah?

Satu kelebihan ketara teknologi GaN 300mm ialah ia boleh dihasilkan menggunakan peralatan pembuatan silikon 300mm sedia ada, kerana GaN dan silikon berkongsi persamaan dalam proses pembuatan. Ciri ini membolehkan Infineon menyepadukan teknologi GaN dengan lancar ke dalam sistem pengeluaran semasanya, dengan itu mempercepatkan penggunaan dan aplikasi teknologi itu.

Di manakah Infineon Berjaya Menghasilkan Wafer GaN 300mm?

Pada masa ini, Infineon telah berjaya mengeluarkan wafer GaN 300mm pada barisan pengeluaran silikon 300mm sedia ada di loji janakuasanya di Villach, Austria. Membina asas teknologi GaN 200mm dan pengeluaran silikon 300mm yang mantap, syarikat itu telah mengembangkan lagi keupayaan teknologi dan pengeluarannya.

Apakah Makna Terobosan Ini untuk Masa Depan?

Kejayaan ini bukan sahaja menyerlahkan kekuatan Infineon dalam inovasi dan keupayaan pengeluaran berskala besar tetapi juga meletakkan asas yang kukuh untuk pembangunan masa depan industri semikonduktor kuasa. Memandangkan teknologi GaN terus berkembang, Infineon akan terus memacu pertumbuhan pasaran, meningkatkan lagi kedudukan penerajunya dalam industri semikonduktor global.**