Parameter Proses Goresan

Goresanialah langkah kritikal dalam pembuatan cip, digunakan untuk mencipta struktur litar minit pada wafer silikon. Ia melibatkan penyingkiran lapisan bahan melalui cara kimia atau fizikal untuk memenuhi keperluan reka bentuk tertentu. Artikel ini akan memperkenalkan beberapa parameter goresan utama, termasuk goresan tidak lengkap, goresan berlebihan, kadar goresan, pemotongan kecil, selektiviti, keseragaman, nisbah bidang dan goresan isotropik/anisotropik.

Apa yang Tidak LengkapGoresan?

Goresan tidak lengkap berlaku apabila bahan di kawasan yang ditetapkan tidak dikeluarkan sepenuhnya semasa proses goresan, meninggalkan lapisan baki dalam lubang bercorak atau pada permukaan. Keadaan ini boleh timbul daripada pelbagai faktor, seperti masa etsa yang tidak mencukupi atau ketebalan filem yang tidak sekata.

lebih-Goresan

Untuk memastikan penyingkiran lengkap semua bahan yang diperlukan dan mengambil kira variasi dalam ketebalan lapisan permukaan, sejumlah goresan berlebihan biasanya dimasukkan ke dalam reka bentuk. Ini bermakna kedalaman etsa sebenar melebihi nilai sasaran. Etsa berlebihan yang sesuai adalah penting untuk kejayaan pelaksanaan proses seterusnya.

EtchKadar

Kadar goresan merujuk kepada ketebalan bahan yang dikeluarkan setiap unit masa dan merupakan penunjuk penting kecekapan goresan. Fenomena biasa ialah kesan pemuatan, di mana plasma reaktif yang tidak mencukupi membawa kepada pengurangan kadar goresan atau pengagihan goresan yang tidak sekata. Ini boleh diperbaiki dengan melaraskan keadaan proses seperti tekanan dan kuasa.

Melemahkan

Melemahkan berlaku apabilagoresanbukan sahaja berlaku di kawasan sasaran tetapi juga memanjang ke bawah di sepanjang tepi photoresist. Fenomena ini boleh menyebabkan dinding sisi condong, menjejaskan ketepatan dimensi peranti. Mengawal aliran gas dan masa goresan membantu mengurangkan kejadian pemotongan.

Selektif

Selektif ialah nisbah bagigoresankadar antara dua bahan yang berbeza di bawah keadaan yang sama. Pemilihan yang tinggi membolehkan kawalan yang lebih tepat ke atas bahagian mana yang terukir dan yang dikekalkan, yang penting untuk mencipta struktur berbilang lapisan yang kompleks.

Keseragaman

Keseragaman mengukur ketekalan kesan goresan pada keseluruhan wafer atau antara kelompok. Keseragaman yang baik memastikan setiap cip mempunyai ciri elektrik yang serupa.

Nisbah Aspek

Nisbah aspek ditakrifkan sebagai nisbah ketinggian ciri kepada lebar. Apabila teknologi berkembang, terdapat peningkatan permintaan untuk nisbah aspek yang lebih tinggi untuk menjadikan peranti lebih padat dan cekap. Walau bagaimanapun, ini memberikan cabaran untukgoresan, kerana ia memerlukan mengekalkan menegak sambil mengelakkan hakisan berlebihan di bahagian bawah.

Bagaimana Isotropik dan AnisotropikGoresanBerbeza?

Isotropikgoresanberlaku secara seragam dalam semua arah dan sesuai untuk aplikasi tertentu tertentu. Sebaliknya, etsa anisotropik terutamanya berkembang dalam arah menegak, menjadikannya ideal untuk mencipta struktur tiga dimensi yang tepat. Pembuatan litar bersepadu moden sering memihak kepada yang kedua untuk kawalan bentuk yang lebih baik.

Semicorex menawarkan penyelesaian SiC/TaC berkualiti tinggi untuk semikonduktorGoresan ICP/PSS dan Goresan Plasmaproses. Jika anda mempunyai sebarang pertanyaan atau memerlukan butiran tambahan, sila jangan teragak-agak untuk menghubungi kami.

Hubungi # telefon +86-13567891907

E-mel: sales@semicorex.com