Berita

Apakah proses SiC epitaxial?

Dalam medan voltan tinggi, terutamanya untuk peranti voltan tinggi melebihi 20,000V, teknologi epitaxial SiC masih menghadapi beberapa cabaran. Salah satu kesukaran utama ialah mencapai keseragaman, ketebalan, dan kepekatan doping yang tinggi dalam lapisan epitaxial. Untuk fabrikasi peranti voltan t......

Pertumbuhan besar pasaran suseptor grafit bersalut SiC

MOCVD ialah peralatan utama

Dana untuk projek Semikonduktor

Setiap negara menyedari kepentingan cip dan kini sedang mempercepatkan pembinaan ekosistem rantaian bekalan pembuatan cip sendiri untuk mengelakkan masalah kekurangan cip yang lain. Tetapi faundri termaju tanpa pereka cip generasi seterusnya akan sama seperti âFabs tanpa Cipâ.

TSMC: Pengeluaran percubaan risiko proses 2nm tahun depan

Dalam laporan tahunan mereka yang baru dikeluarkan, Pengerusi TSMC Deyin Liu dan Ketua Pegawai Eksekutif Chieh-Jia Wei mendedahkan kemajuan yang berkaitan dengan proses 2nm.

Senario Aplikasi untuk Lapisan Epitaxial

Kami tahu bahawa lapisan epitaxial selanjutnya perlu dibina di atas beberapa substrat wafer untuk fabrikasi peranti, biasanya peranti pemancar cahaya LED, yang memerlukan lapisan epitaxial GaAs di atas substrat silikon; Lapisan epitaxial SiC ditanam di atas substrat SiC konduktif untuk membina peran......