Berita - Semicorex Advanced Material Technology Co.,Ltd

Dislokasi dalam kristal SiC

Substrat SiC boleh mempunyai kecacatan mikroskopik, seperti Dislokasi Skru Benang (TSD), Dislokasi Tepi Benang (TED), Dislokasi Satah Asas (BPD) dan lain-lain. Kecacatan ini disebabkan oleh penyelewengan dalam susunan atom pada peringkat atom.

Baca Lagi

Mengenai kecacatan pada kristal SiC - Micropipe

Substrat SiC boleh mempunyai kecacatan mikroskopik, seperti Dislokasi Skru Benang (TSD), Dislokasi Tepi Benang (TED), Dislokasi Satah Asas (BPD) dan lain-lain. Kecacatan ini disebabkan oleh penyelewengan dalam susunan atom pada peringkat atom. Hablur SiC juga mungkin mempunyai kehelan makroskopik, s......

Baca Lagi

Mengapa memilih kaedah epitaksi fasa cecair?

Berbanding dengan kaedah PVT, kaedah fasa cecair untuk mengembangkan SiC mempunyai kelebihan berikut:

Baca Lagi

Apakah epitaksi fasa cecair?

Kaedah fasa cecair lebih hampir kepada keadaan keseimbangan termodinamik dan mampu menumbuhkan kristal SiC dengan kualiti yang lebih baik.

Baca Lagi

Salutan TaC

Menurut hasil penyelidikan, salutan TaC boleh bertindak sebagai lapisan perlindungan dan pengasingan untuk memanjangkan hayat komponen grafit, meningkatkan keseragaman suhu jejari, mengekalkan stoikiometri sublimasi SiC, menyekat penghijrahan kekotoran dan mengurangkan penggunaan tenaga. Akhirnya se......

Baca Lagi

Apakah proses CVD dalam semikonduktor?

Pemendapan wap kimia CVD merujuk kepada pengenalan dua atau lebih bahan mentah gas ke dalam ruang tindak balas di bawah keadaan vakum dan suhu tinggi, di mana bahan mentah gas bertindak balas antara satu sama lain untuk membentuk bahan baru, yang dimendapkan pada permukaan wafer.

Baca Lagi