> Berita

Berita

SiGe dalam Pembuatan Cip: Laporan Berita Profesional

Untuk memenuhi permintaan untuk prestasi tinggi dan penggunaan kuasa yang rendah dalam bidang teknologi semikonduktor moden, SiGe (Silicon Germanium) telah muncul sebagai bahan komposit pilihan dalam pembuatan cip semikonduktor kerana sifat fizikal dan elektriknya yang unik.

Baca Lagi

Unit dalam semikonduktor: Angstrom

Sebagai unit panjang, Angstrom (Å) terdapat di mana-mana dalam pembuatan litar bersepadu. Daripada kawalan tepat ketebalan bahan kepada pengecilan dan pengoptimuman saiz peranti, pemahaman dan aplikasi skala Angstrom adalah teras untuk memastikan pembangunan berterusan teknologi semikonduktor.

Baca Lagi

Mensintesis Serbuk Silikon Karbida Ketulenan Tinggi

Serbuk Karbida Silikon Ketulenan Tinggi mempunyai ciri-ciri jurang jalur lebar yang luar biasa, yang menjadikannya bahan yang ideal untuk mengeluarkan peranti elektronik berkuasa tinggi frekuensi tinggi.

Baca Lagi

Hampir $840 Juta: Onsemi Memperolehi Syarikat SiC

Hari ini, Onsemi mengumumkan di laman web rasminya bahawa ia telah mencapai persetujuan dengan Qorvo untuk memperoleh perniagaan teknologi SiC JFET dan anak syarikat Qorvo.

Baca Lagi

Apakah Perbezaan Antara Grafitisasi dan Karbonisasi

Kesimpulannya, kedua-dua grafitisasi dan pengkarbonan adalah proses perindustrian yang melibatkan karbon sama ada sebagai bahan tindak balas atau produk. Karbonisasi merujuk kepada proses menukar bahan organik kepada karbon, manakala grafitisasi melibatkan mengubah karbon menjadi grafit. Oleh itu, p......

Baca Lagi

Parameter Proses Goresan

Etsa ialah langkah kritikal dalam pembuatan cip, digunakan untuk mencipta struktur litar kecil pada wafer silikon.

Baca Lagi

<...4 5 6 7 8...37 >