Substrat Wafer Aluminium Nitrida 30mm

Atribut unik Substrat Wafer Nitrida Aluminium Semicorex 30mm menjadikannya substrat yang ideal untuk LED ultraungu (UV), pengesan UV, laser UV dan peranti RF berkuasa tinggi/berfrekuensi tinggi 5G seterusnya. Dalam komunikasi tanpa wayar, sifat Substrat Wafer Nitrida Aluminium 30mm memudahkan pembangunan peranti yang mampu mengendalikan kuasa tinggi dan frekuensi yang penting untuk teknologi 5G, meningkatkan penghantaran dan penerimaan isyarat. Tambahan pula, dalam bidang seperti penjagaan kesihatan dan ketenteraan, peranti berasaskan AlN digunakan dalam fototerapi perubatan untuk merawat keadaan kulit, penemuan ubat melalui terapi fotodinamik, dan teknologi komunikasi selamat dalam aeroangkasa, menekankan kepelbagaian Substrat Wafer Nitrida Aluminium 30mm dan peranan penting dalam kemajuan teknologi merentas pelbagai sektor.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Substrat Wafer Wafer Aluminium Nitrida 30mm Semicorex mempunyai ciri-ciri luar biasa yang penting untuk aplikasi semikonduktor lanjutan. Jurang jalur lebar mereka membolehkan peranti beroperasi pada voltan dan suhu tinggi sambil meminimumkan kebocoran elektrik, yang penting untuk elektronik kuasa. Kekonduksian terma tinggi Substrat Wafer Nitrida Aluminium 30mm adalah penting dalam mengurus haba yang dijana dalam peranti berkuasa tinggi, meningkatkan kebolehpercayaan dan prestasi peranti dengan berkesan. Tambahan pula, medan pecahan tinggi Substrat Wafer Nitrida Aluminium 30mm membolehkan peranti yang boleh menahan medan elektrik tinggi tanpa kerosakan, sesuai untuk aplikasi yang memerlukan ketumpatan kuasa tinggi dan kecekapan.

Substrat Wafer Aluminium Nitride 30mm mempamerkan mobiliti elektron yang tinggi, yang diterjemahkan kepada peranti elektronik yang lebih pantas dengan tindak balas frekuensi yang lebih baik. Ciri ini amat berfaedah dalam fabrikasi peranti frekuensi radio (RF) dan elektronik berkelajuan tinggi, di mana penghantaran dan pemprosesan isyarat pantas diperlukan. Selain itu, rintangan kakisan dan sinaran Substrat Wafer Nitrida Aluminium 30mm menjadikannya pilihan yang luar biasa untuk persekitaran yang keras, seperti aplikasi ruang, di mana bahan terdedah kepada gas menghakis dan tahap sinaran yang tinggi. Ketahanan ini memastikan kebolehpercayaan dan kefungsian jangka panjang peranti dalam keadaan yang melampau, menjadikan Substrat Wafer Nitrida Aluminium 30mm substrat optimum untuk peranti optoelektronik dan komponen elektronik berkuasa tinggi/berfrekuensi tinggi.

Pada masa ini kami menawarkan pelanggan kami produk substrat kristal tunggal aluminium nitrida berkualiti tinggi piawai dengan dimensi 10x10mm, Φ10mm, Φ15mm, Φ20mm, Φ25.4mm, Φ30mm, dan Φ50.8mm. Selain itu, kami juga membekalkan substrat kristal tunggal aluminium nitrida bukan kutub M muka dalam julat 10-20mm. Untuk keperluan yang dipesan lebih dahulu, kami boleh menyesuaikan kepingan penggilap substrat kristal tunggal aluminium nitrida antara 5mm hingga 50.8mm. Pelbagai tawaran ini memenuhi pelbagai keperluan pelanggan dan membolehkan penerokaan sempadan teknologi yang pelbagai.