Panduan aliran komposit karbon-karbon

Panduan aliran komposit karbon-karbon adalah ususlly yang diposisikan di atas kritikal dalam relau pertumbuhan kristal tunggal. Mereka bekerjasama dengan komponen seperti pemanas, crucibles, dan silinder penebat untuk membentuk medan haba yang ideal yang diperlukan untuk pertumbuhan silikon kristal tunggal.

Komposit karbon-karbonGunakan karbon sebagai gentian matriks dan karbon dan kain mereka sebagai tetulang, pembuatan melalui gabungan pemendapan wap kimia (CVD) dan grafitisasi. Proses pembuatan yang tepat ini menawarkan aliran komposit karbon-karbon membimbing struktur padat dan komposisi seragam, memastikan prestasi yang stabil dan memenuhi keperluan untuk kegunaan multi-batch berterusan dalam relau menarik silikon tunggal kristal.

Struktur komposit ini membekalkan mereka dengan sifat-sifat terkenal komposit karbon-karbon seperti ketumpatan rendah, modulus khusus yang tinggi, rintangan haus yang kuat dan ketahanan yang lebih tinggi terhadap suhu tinggi. Bergantung pada garis besar komposit dan sifat-sifat bahan yang unggul ini, panduan aliran komposit karbon-karbon mampu mengarahkan pengedaran gas yang konsisten di dalam relau sepanjang operasi pembangunan silikon tunggal kristal. Sementara itu, panduan aliran komposit karbon-karbon juga dapat melindungi haba untuk mencegah kehilangan haba dan menghasilkan kecerunan suhu yang diperlukan, yang membolehkan silikon kristal tunggal berkembang di bawah keadaan terma yang optimum.

Semicorex menerima perkhidmatan tersuai berdasarkan lukisan yang disediakan. Sama ada garis besar, toleransi dimensi, atau spesifikasi yang berkaitan dengan fungsi teras, pasukan teknikal kami boleh menyesuaikan panduan aliran komposit karbon karbon yang sesuai dengan keadaan kerja anda untuk anda. Panduan aliran komposit karbon karbon premium kami mempunyai nilai aplikasi yang tidak dapat ditukar dalam proses pertumbuhan silikon tunggal kristal yang sangat menghakis. Mereka dapat menyediakan persekitaran gas yang stabil yang diperlukan untuk pertumbuhan silikon tunggal kristal, dengan itu meningkatkan kualiti silikon dan kecekapan pengeluaran silikon.