Rumah > Produk > Bersalut Silikon Karbida > Suseptor Epitaxial LED > Susceptor Epitaxial LED UV Deep
Susceptor Epitaxial LED UV Deep
  • Susceptor Epitaxial LED UV DeepSusceptor Epitaxial LED UV Deep
  • Susceptor Epitaxial LED UV DeepSusceptor Epitaxial LED UV Deep

Susceptor Epitaxial LED UV Deep

Semicorex ialah pengeluar dan pembekal Susceptor Grafit Bersalut Silikon Karbida berskala besar di China. Kami telah menjadi pengilang dan pembekal Deep-UV LED Epitaxial Susceptor selama bertahun-tahun. Produk kami mempunyai kelebihan harga yang baik dan meliputi kebanyakan pasaran Eropah dan Amerika. Kami berharap untuk menjadi rakan kongsi jangka panjang anda di China.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Susceptors Epitaxial LED UV Deep adalah penting untuk fabrikasi LED. Plat bersalut silikon karbida (SiC) semicorex menjadikan pembuatan wafer LED UV dalam berkualiti tinggi lebih cekap. Salutan SiC ialah salutan silikon karbida (SiC) yang padat dan tahan haus. Ia mempunyai sifat rintangan kakisan dan haba yang tinggi serta kekonduksian terma yang sangat baik. Kami menggunakan SiC dalam lapisan nipis pada grafit menggunakan proses pemendapan wap kimia (CVD).
Tidak kira apa keperluan khusus anda, kami akan mengenal pasti penyelesaian terbaik untuk epitaksi MOCVD serta industri semikonduktor dan LED.
Susceptor Epitaxial LED UV Deep kami direka untuk mencapai corak aliran gas lamina terbaik, memastikan kesamaan profil terma. Ini membantu mengelakkan sebarang pencemaran atau resapan kekotoran, memastikan pertumbuhan epitaxial berkualiti tinggi pada cip wafer.
Hubungi kami hari ini untuk mengetahui lebih lanjut tentang Susceptor Epitaxial LED UV Deep kami.


Parameter Suseptor Epitaxial LED UV Dalam

Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC

Sifat SiC-CVD

Struktur Kristal

fasa FCC β

Ketumpatan

g/cm ³

3.21

Kekerasan

Kekerasan Vickers

2500

Saiz Bijirin

μm

2~10

Ketulenan Kimia

%

99.99995

Kapasiti Haba

J kg-1 K-1

640

Suhu Sublimasi

2700

Kekuatan Feleksural

MPa (RT 4 mata)

415

Modulus Muda

Gpa (4pt selekoh, 1300℃)

430

Pengembangan Terma (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Kekonduksian terma

(W/mK)

300


Ciri-ciri Suseptor Epitaxial LED UV Dalam

- Sisihan panjang gelombang yang lebih rendah dan hasil cip yang lebih tinggi
- Kedua-dua substrat grafit dan lapisan silikon karbida mempunyai kekonduksian terma yang tinggi, dan sifat pengagihan haba yang sangat baik.
- Toleransi dimensi yang lebih ketat membawa kepada hasil produk yang lebih tinggi dan kos yang lebih rendah
- Elakkan mengelupas dan pastikan salutan pada semua permukaan
Rintangan pengoksidaan suhu tinggi: Stabil pada suhu tinggi sehingga 1600°C
Ketulenan tinggi: dibuat oleh pemendapan wap kimia CVD di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi.
Rintangan kakisan: kekerasan tinggi, permukaan padat dan zarah halus.
Rintangan kakisan: asid, alkali, garam dan reagen organik.




Teg Panas: Deep-UV LED Epitaxial Susceptor, China, Pengilang, Pembekal, Kilang, Disesuaikan, Pukal, Lanjutan, Tahan Lama
Kategori Berkaitan
Hantar Pertanyaan
Sila berasa bebas untuk memberikan pertanyaan anda dalam borang di bawah. Kami akan membalas anda dalam masa 24 jam.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept