N-jenis substrat sic

Semicorex N-TypeSubstrat sicadalah produk wafer mewah yang dibangunkan berdasarkan bahan-bahan semikonduktor bandgap generasi ketiga, yang direka untuk memenuhi keperluan ketat suhu tinggi, frekuensi tinggi, kuasa tinggi dan peranti elektronik kecekapan tinggi. Melalui teknologi pertumbuhan kristal yang maju dan teknologi pemprosesan ketepatan, substrat N-jenis SIC kami mempunyai sifat elektrik yang sangat baik, kestabilan haba dan kualiti permukaan, menyediakan bahan asas yang ideal untuk pembuatan peranti kuasa (seperti MOSFET, diod)

Berbanding dengan semikonduktor berasaskan silikon, semikonduktor bandgap lebar yang diwakili oleh silikon karbida dan galium nitride mempunyai kelebihan prestasi yang luar biasa dari hujung bahan ke hujung peranti. Mereka mempunyai ciri -ciri kekerapan tinggi, kecekapan tinggi, kuasa tinggi, rintangan voltan tinggi, dan rintangan suhu tinggi. Mereka adalah arahan penting untuk pembangunan industri semikonduktor pada masa akan datang. Antaranya, substrat N-jenis SIC mempamerkan sifat fizikal dan kimia yang unik. Lebar bandgap yang tinggi, kekuatan medan elektrik kerosakan tinggi, kadar drift ketepuan elektron yang tinggi dan kekonduksian terma tinggi karbida silikon menjadikannya memainkan peranan penting dalam aplikasi seperti peranti elektronik kuasa. Ciri-ciri ini memberikan kelebihan silikon karbida dalam bidang aplikasi berprestasi tinggi seperti EV dan fotovoltaik, terutamanya dari segi kestabilan dan ketahanan. Substrat N-jenis mempunyai potensi aplikasi pasaran yang luas dalam peranti semikonduktor kuasa, peranti semikonduktor frekuensi radio dan bidang aplikasi yang baru muncul. Substrat SIC boleh digunakan secara meluas dalam peranti semikonduktor kuasa, peranti semikonduktor frekuensi radio, dan produk hiliran seperti gelombang optik, penapis TF-SAW, dan cmponen pelesapan haba. Industri aplikasi utama termasuk sistem penyimpanan EV, fotovoltaik dan tenaga, grid kuasa, pengangkutan kereta api, komunikasi, gelas AI, telefon pintar, laser semikonduktor, dll.

Peranti semikonduktor kuasa adalah peranti semikonduktor yang digunakan sebagai suis atau penerus dalam produk elektronik kuasa. Peranti semikonduktor kuasa terutamanya termasuk diod kuasa, triod kuasa, thyristors, MOSFET, IGBTS, dll.

Pelbagai pelayaran, kelajuan mengecas, dan pengalaman memandu adalah faktor penting bagi EV. Berbanding dengan peranti semikonduktor kuasa berasaskan silikon tradisional seperti IGBT berasaskan silikon, substrat N-jenis SIC kuasa semikonduktor kuasa mempunyai kelebihan yang signifikan seperti rintangan rendah, kekerapan beralih tinggi, rintangan haba yang tinggi, dan kekonduksian terma yang tinggi. Kelebihan ini dapat mengurangkan kehilangan tenaga dalam pautan penukaran kuasa; mengurangkan jumlah komponen pasif seperti induktor dan kapasitor, mengurangkan berat dan kos modul kuasa; Mengurangkan keperluan pelesapan haba, memudahkan sistem pengurusan terma, dan meningkatkan tindak balas dinamik kawalan motor. Dengan itu meningkatkan julat pelayaran, kelajuan mengecas, dan pengalaman memandu EV. Peranti semikonduktor kuasa karbida silikon boleh digunakan untuk pelbagai komponen EV, termasuk pemacu motor, pengecas di atas kapal (OBCs), penukar DC/DC, pemampat penghawa dingin, pemanas PTC voltan tinggi, dan relay pra-pengisian. Pada masa ini, peranti kuasa silikon karbida silikon terutamanya digunakan dalam pemacu motor, OBC dan penukar DC/DC, secara beransur-ansur menggantikan modul kuasa IGBT yang berasaskan silikon tradisional. Dari segi OBC, modul kuasa boleh menukar kuasa AC luaran ke dalam kuasa DC untuk mengecas bateri. Modul kuasa karbida silikon dapat mengurangkan kerugian yang dikenakan sebanyak 40%, mencapai kelajuan pengecasan yang lebih cepat, dan meningkatkan pengalaman pengguna. Dari segi penukar DC/DC, fungsinya adalah untuk menukar kuasa DC bateri voltan tinggi ke dalam kuasa DC voltan rendah untuk digunakan oleh peranti on-board. Modul kuasa karbida silikon meningkatkan kecekapan dengan mengurangkan haba dan mengurangkan kehilangan tenaga sebanyak 80% hingga 90%, meminimumkan kesan ke atas julat kenderaan.