Apakah epitaksi SiC?

Silicon Carbide (SiC) epitaxy ialah teknologi utama dalam bidang semikonduktor, terutamanya untuk pembangunan peranti elektronik berkuasa tinggi. SiC ialah semikonduktor kompaun dengan jurang jalur lebar, yang menjadikannya sesuai untuk aplikasi yang memerlukan operasi suhu tinggi dan voltan tinggi.

Epitaksi SiC ialah proses menumbuhkan lapisan nipis bahan kristal pada substrat, biasanya silikon, menggunakan teknik pemendapan wap kimia (CVD) atau epitaksi rasuk molekul (MBE). Lapisan epitaxial mempunyai struktur dan orientasi kristal yang sama dengan substrat, yang membolehkan pembentukan antara muka berkualiti tinggi antara kedua-dua bahan.

SiC epitaxy telah digunakan secara meluas dalam pembangunan elektronik kuasa, termasuk peranti kuasa seperti diod, transistor dan thyristor. Peranti ini digunakan dalam pelbagai aplikasi, seperti kenderaan elektrik, sistem tenaga boleh diperbaharui dan bekalan kuasa.

Dalam beberapa tahun kebelakangan ini, terdapat minat yang semakin meningkat dalam pembangunan epitaksi SiC untuk fabrikasi peranti berkuasa tinggi untuk aplikasi seperti kenderaan elektrik dan sistem tenaga boleh diperbaharui. Permintaan untuk peranti ini dijangka berkembang pesat pada tahun-tahun akan datang, didorong oleh keperluan untuk sistem tenaga yang lebih cekap dan mampan.

Sebagai tindak balas kepada permintaan ini, penyelidik dan syarikat melabur dalam pembangunan teknologi epitaksi SiC, dengan tumpuan untuk meningkatkan kualiti dan mengurangkan kos proses. Sebagai contoh, sesetengah syarikat sedang membangunkan epitaksi SiC pada substrat yang lebih besar untuk mengurangkan kos setiap wafer, manakala yang lain sedang meneroka teknik baharu untuk mengurangkan ketumpatan kecacatan.

Epitaksi SiC juga digunakan dalam pembangunan penderia lanjutan untuk pelbagai aplikasi, termasuk penderiaan gas, penderiaan suhu dan penderiaan tekanan. SiC mempunyai ciri unik yang menjadikannya sesuai untuk aplikasi ini, seperti kestabilan suhu tinggi dan ketahanan terhadap persekitaran yang keras.