Proses wafer epitaxial adalah teknik kritikal yang digunakan dalam pembuatan semikonduktor. Ia melibatkan pertumbuhan lapisan nipis bahan kristal di atas substrat, yang mempunyai struktur dan orientasi kristal yang sama dengan substrat. Proses ini mencipta antara muka berkualiti tinggi antara kedua-dua bahan, membolehkan pembangunan peranti elektronik termaju.

Proses wafer epitaxial digunakan dalam pengeluaran pelbagai peranti semikonduktor, termasuk diod, transistor, dan litar bersepadu. Proses ini biasanya dijalankan menggunakan teknik pemendapan wap kimia (CVD) atau teknik epitaksi rasuk molekul (MBE). Teknik ini melibatkan pemendapan atom bahan ke permukaan substrat, di mana ia membentuk lapisan kristal.

Proses wafer epitaxial adalah teknik yang kompleks dan tepat yang memerlukan kawalan ketat ke atas pelbagai parameter seperti suhu, tekanan, dan kadar aliran gas. Pertumbuhan lapisan epitaxial mesti dikawal dengan teliti untuk memastikan pembentukan struktur kristal berkualiti tinggi dengan ketumpatan kecacatan yang rendah.

Kualiti proses wafer epitaxial adalah kritikal kepada prestasi peranti semikonduktor yang terhasil. Lapisan epitaxial mesti mempunyai ketebalan seragam, ketumpatan kecacatan yang rendah, dan tahap ketulenan yang tinggi untuk memastikan sifat elektronik yang optimum. Ketebalan dan tahap doping lapisan epitaxial boleh dikawal dengan tepat untuk mencapai sifat yang dikehendaki, seperti kekonduksian dan celah jalur.

Dalam beberapa tahun kebelakangan ini, proses wafer epitaxial telah menjadi semakin penting dalam pengeluaran peranti semikonduktor berprestasi tinggi, terutamanya dalam bidang elektronik kuasa. Permintaan untuk peranti berprestasi tinggi dengan kecekapan dan kebolehpercayaan yang lebih baik telah memacu pembangunan proses wafer epitaxial termaju.

Proses wafer epitaxial juga digunakan dalam pembangunan penderia lanjutan, termasuk penderia suhu, penderia gas dan penderia tekanan. Penderia ini memerlukan lapisan kristal berkualiti tinggi dengan sifat elektronik tertentu, yang boleh dicapai melalui proses wafer epitaxial.