Industri Silicon Carbide

Industri karbida silikon melibatkan rantaian proses yang merangkumi penciptaan substrat, pertumbuhan epitaxial, reka bentuk peranti, pembuatan peranti, pembungkusan dan ujian. Secara umumnya, silikon karbida dicipta sebagai jongkong, yang kemudiannya dihiris, dikisar, dan digilap untuk menghasilkansubstrat silikon karbida. Substrat melalui proses pertumbuhan epitaxial untuk menghasilkan anwafer epitaxial. Wafer epitaxial kemudiannya digunakan untuk mencipta peranti melalui pelbagai langkah seperti fotolitografi, etsa, implantasi ion, dan pemendapan. Wafer dipotong menjadi acuan dan dikapsulkan untuk mendapatkan peranti. Akhirnya, peranti digabungkan dan dipasang ke dalam modul dalam perumahan khas.

Nilai rantaian industri silikon karbida tertumpu terutamanya pada substrat hulu dan pautan epitaxial. Menurut data daripada CASA, substrat menyumbang kira-kira 47% daripada kos peranti silikon karbida, dan pautan epitaxial menyumbang 23%. Kos sebelum pembuatan menyumbang 70% daripada jumlah kos. Sebaliknya, untuk peranti berasaskan Si, pembuatan wafer menyumbang 50% daripada kos, dan substrat wafer hanya menyumbang 7% daripada kos. Ini menyerlahkan nilai substrat hulu dan pautan epitaxial untuk peranti silikon karbida.

Walaupun fakta bahawasubstrat silikon karbidadanepitaxialharga adalah agak mahal berbanding wafer silikon, kecekapan tinggi, ketumpatan kuasa tinggi, dan ciri-ciri lain peranti silikon karbida menjadikannya menarik untuk pelbagai industri, termasuk kenderaan tenaga baharu, tenaga dan sektor perindustrian. Oleh itu, permintaan untuk peranti silikon karbida dijangka meningkat dengan pesat, yang akan memacu penembusan silikon karbida dalam pelbagai bidang.