Proses pertumbuhan filem nipis

Filem nipis biasa terbahagi terutamanya kepada tiga kategori: filem nipis semikonduktor, filem nipis dielektrik dan filem nipis sebatian logam/logam.

Filem nipis semikonduktor: digunakan terutamanya untuk menyediakan kawasan saluran sumber/parit,lapisan epitaxial kristal tunggaldan pintu MOS, dsb.

Filem nipis dielektrik: terutamanya digunakan untuk pengasingan parit cetek, lapisan oksida pintu, dinding sisi, lapisan penghalang, lapisan dielektrik hadapan lapisan logam, lapisan dielektrik lapisan logam belakang, lapisan henti etch, lapisan penghalang, lapisan anti-pantulan, lapisan pempasifan, dan lain-lain, dan juga boleh digunakan untuk topeng keras.

Filem nipis sebatian logam dan logam: filem nipis logam digunakan terutamanya untuk pintu logam, lapisan logam, dan pad, dan filem nipis sebatian logam digunakan terutamanya untuk lapisan penghalang, topeng keras, dsb.

Kaedah pemendapan filem nipis

Pemendapan filem nipis memerlukan prinsip teknikal yang berbeza, dan kaedah pemendapan yang berbeza seperti fizik dan kimia perlu saling melengkapi. Proses pemendapan filem nipis terutamanya dibahagikan kepada dua kategori: fizikal dan kimia.

Kaedah fizikal termasuk penyejatan haba dan sputtering. Penyejatan terma merujuk kepada pemindahan bahan atom dari bahan sumber ke permukaan bahan substrat wafer dengan memanaskan sumber penyejatan untuk menyejatkannya. Kaedah ini pantas, tetapi filem itu mempunyai lekatan yang lemah dan sifat langkah yang lemah. Sputtering adalah untuk menekan dan mengionkan gas (gas argon) untuk menjadi plasma, membedil bahan sasaran untuk membuat atomnya jatuh dan terbang ke permukaan substrat untuk mencapai pemindahan. Sputtering mempunyai lekatan yang kuat, sifat langkah yang baik dan ketumpatan yang baik.

Kaedah kimia adalah untuk memperkenalkan bahan tindak balas gas yang mengandungi unsur-unsur yang membentuk filem nipis ke dalam ruang proses dengan tekanan separa aliran gas yang berbeza, tindak balas kimia berlaku pada permukaan substrat dan filem nipis dimendapkan pada permukaan substrat.

Kaedah fizikal digunakan terutamanya untuk mendepositkan wayar logam dan filem sebatian logam, manakala kaedah fizikal am tidak dapat mencapai pemindahan bahan penebat. Kaedah kimia diperlukan untuk memendap melalui tindak balas antara gas yang berbeza. Di samping itu, beberapa kaedah kimia juga boleh digunakan untuk mendepositkan filem logam.

ALD/Pemendapan Lapisan Atom merujuk kepada pemendapan atom lapisan demi lapisan pada bahan substrat dengan menumbuhkan satu lapisan filem atom demi lapisan, yang juga merupakan kaedah kimia. Ia mempunyai liputan langkah, keseragaman dan konsistensi yang baik, serta boleh mengawal ketebalan, komposisi dan struktur filem dengan lebih baik.

Semicorex menawarkan kualiti tinggiBahagian grafit bersalut SiC/TaCuntuk pertumbuhan lapisan epitaxial. Jika anda mempunyai sebarang pertanyaan atau memerlukan butiran tambahan, sila jangan teragak-agak untuk menghubungi kami.

Hubungi # telefon +86-13567891907

E-mel: sales@semicorex.com