Apakah CVD untuk SiC

Pemendapan wap kimia, atau CVD, ialah kaedah yang biasa digunakan untuk mencipta filem nipis yang digunakan dalam pembuatan semikonduktor.Dalam konteks SiC, CVD merujuk kepada proses pertumbuhan filem nipis atau salutan SiC oleh tindak balas kimia prekursor gas pada substrat. Langkah-langkah umum yang terlibat dalam SiC CVD adalah seperti berikut:

Penyediaan substrat: Substrat, biasanya wafer silikon, dibersihkan dan disediakan untuk memastikan permukaan yang bersih untuk pemendapan SiC.

Penyediaan gas prekursor: Prekursor gas yang mengandungi silikon dan atom karbon disediakan. Prekursor biasa termasuk silane (SiH4) dan metilsilane (CH3SiH3).

Persediaan reaktor: Substrat diletakkan di dalam ruang reaktor, dan ruang itu dipindahkan dan dibersihkan dengan gas lengai, seperti argon, untuk menghilangkan kekotoran dan oksigen.

Proses pemendapan: Gas prekursor dimasukkan ke dalam ruang reaktor, di mana ia menjalani tindak balas kimia untuk membentuk SiC pada permukaan substrat. Tindak balas biasanya dilakukan pada suhu tinggi (800-1200 darjah Celsius) dan di bawah tekanan terkawal.

Pertumbuhan filem: Filem SiC secara beransur-ansur tumbuh pada substrat apabila gas prekursor bertindak balas dan memendapkan atom SiC. Kadar pertumbuhan dan sifat filem boleh dipengaruhi oleh pelbagai parameter proses, seperti suhu, kepekatan prekursor, kadar aliran gas, dan tekanan.

Penyejukan dan rawatan selepas: Setelah ketebalan filem yang diingini dicapai, reaktor disejukkan, dan substrat bersalut SiC dikeluarkan. Langkah tambahan selepas rawatan, seperti penyepuhlindapan atau penggilap permukaan, boleh dilakukan untuk meningkatkan sifat filem atau menghilangkan sebarang kecacatan.

SiC CVD membolehkan kawalan tepat ke atas ketebalan filem, komposisi dan sifat. Ia digunakan secara meluas dalam industri semikonduktor untuk pengeluaran peranti elektronik berasaskan SiC, seperti transistor berkuasa tinggi, diod dan penderia. Proses CVD membolehkan pemendapan filem SiC seragam dan berkualiti tinggi dengan kekonduksian elektrik yang sangat baik dan kestabilan terma, menjadikannya sesuai untuk pelbagai aplikasi dalam elektronik kuasa, aeroangkasa, automotif dan industri lain.

Semicorex utama dalam produk bersalut CVD SiC denganpemegang wafer / suseptor, bahagian SiC, dan lain-lain.