Unit dalam semikonduktor: Angstrom

Apakah Angstrom?

Angstrom (simbol: Å) ialah unit panjang yang sangat kecil, digunakan terutamanya untuk menggambarkan skala fenomena mikroskopik, seperti jarak antara atom dan molekul atau ketebalan filem nipis dalam pembuatan wafer. Satu angstrom bersamaan dengan \(10^{-10}\) meter, yang bersamaan dengan 0.1 nanometer (nm).

Untuk menggambarkan konsep ini dengan lebih intuitif, pertimbangkan analogi berikut: Diameter rambut manusia adalah kira-kira 70,000 nanometer, yang diterjemahkan kepada 700,000 Å. Jika kita bayangkan 1 meter sebagai diameter Bumi, maka 1 Å dibandingkan dengan diameter sebutir pasir kecil di permukaan Bumi.

Dalam pembuatan litar bersepadu, angstrom amat berguna kerana ia menyediakan cara yang tepat dan mudah untuk menerangkan ketebalan lapisan filem yang sangat nipis, seperti silikon oksida, silikon nitrida dan lapisan doped. Dengan kemajuan teknologi proses semikonduktor, keupayaan untuk mengawal ketebalan telah mencapai tahap lapisan atom individu, menjadikan angstrom sebagai unit yang sangat diperlukan di lapangan.

Dalam pembuatan litar bersepadu, penggunaan angstrom adalah meluas dan penting. Pengukuran ini memainkan peranan penting dalam proses utama seperti pemendapan filem nipis, etsa dan implantasi ion. Berikut adalah beberapa senario biasa:

1. Kawalan Ketebalan Filem Nipis

Bahan filem nipis, seperti silikon oksida (SiO₂) dan silikon nitrida (Si₃N₄), biasanya digunakan sebagai lapisan penebat, lapisan topeng, atau lapisan dielektrik dalam pembuatan semikonduktor. Ketebalan filem-filem ini mempunyai kesan penting pada prestasi peranti.  

Sebagai contoh, lapisan oksida gerbang MOSFET (transistor kesan medan semikonduktor oksida logam) biasanya adalah beberapa nanometer atau beberapa angstrom tebal. Jika lapisan terlalu tebal, ia boleh merendahkan prestasi peranti; jika ia terlalu nipis, ia boleh menyebabkan kerosakan. Teknologi pemendapan wap kimia (CVD) dan pemendapan lapisan atom (ALD) membolehkan pemendapan filem nipis dengan ketepatan peringkat angstrom, memastikan ketebalan memenuhi keperluan reka bentuk.

2. Kawalan Doping  

Dalam teknologi implantasi ion, kedalaman penembusan dan dos ion yang diimplan dengan ketara mempengaruhi prestasi peranti semikonduktor. Angstrom sering digunakan untuk menggambarkan taburan kedalaman implantasi. Sebagai contoh, dalam proses simpang cetek, kedalaman implantasi boleh sekecil puluhan angstrom.

3. Ketepatan Mengukir

Dalam goresan kering, kawalan tepat ke atas kadar goresan dan masa berhenti hingga ke tahap angstrom adalah penting untuk mengelak daripada merosakkan bahan asas. Sebagai contoh, semasa goresan gerbang transistor, goresan yang berlebihan boleh mengakibatkan prestasi terdegradasi.

4. Teknologi Pemendapan Lapisan Atom (ALD).

ALD ialah teknik yang membolehkan pemendapan bahan satu lapisan atom pada satu masa, dengan setiap kitaran biasanya membentuk ketebalan filem hanya 0.5 hingga 1 Å. Teknologi ini amat berfaedah untuk membina filem ultra-nipis, seperti dielektrik get yang digunakan dengan bahan pemalar dielektrik tinggi (High-K).

Semicorex menawarkan kualiti tinggiwafer semikonduktor. Jika anda mempunyai sebarang pertanyaan atau memerlukan butiran tambahan, sila jangan teragak-agak untuk menghubungi kami.

Hubungi # telefon +86-13567891907

E-mel: sales@semicorex.com