Teknologi Goresan Terpilih SiGe dan Si

FET Gate-All-Around (GAAFET), sebagai seni bina transistor generasi akan datang yang bersedia untuk menggantikan FinFET, telah mendapat perhatian yang ketara untuk keupayaannya untuk menyediakan kawalan elektrostatik yang unggul dan prestasi yang dipertingkatkan pada dimensi yang lebih kecil. Langkah kritikal dalam pembuatan GAAFET jenis-n melibatkan selektiviti tinggigoresantimbunan SiGe:Si sebelum pemendapan pengatur jarak dalam, menghasilkan helaian nano silikon dan saluran pelepas.

Artikel ini mengupas mengenai pilihanteknologi etsaterlibat dalam proses ini dan memperkenalkan dua kaedah etsa baru—gas oksidatif tinggi bebas plasma etsa dan atomic layer etching (ALE)—yang menawarkan penyelesaian baharu untuk mencapai ketepatan tinggi dan selektiviti dalam etsa SiGe.

Lapisan SiGe Superlattice dalam Struktur GAA

Dalam reka bentuk GAAFET, untuk meningkatkan prestasi peranti, lapisan berselang-seli Si dan SiGe adalahditanam secara epitaxial pada substrat silikon, membentuk struktur berbilang lapisan yang dikenali sebagai superlattice. Lapisan SiGe ini bukan sahaja melaraskan kepekatan pembawa tetapi juga meningkatkan mobiliti elektron dengan memperkenalkan tekanan. Walau bagaimanapun, dalam langkah proses seterusnya, lapisan SiGe ini perlu dikeluarkan dengan tepat sambil mengekalkan lapisan silikon, yang memerlukan teknologi etsa yang sangat terpilih.

Kaedah untuk Goresan Terpilih SiGe

Goresan Bebas Plasma Gas Oksidatif Tinggi

Pemilihan gas ClF3: Kaedah etsa ini menggunakan gas pengoksidaan tinggi dengan selektiviti melampau, seperti ClF3, mencapai nisbah selektiviti SiGe:Si 1000-5000. Ia boleh disiapkan pada suhu bilik tanpa menyebabkan kerosakan plasma.

Kecekapan suhu rendah: Suhu optimum ialah sekitar 30°C, merealisasikan etsa selektiviti tinggi di bawah keadaan suhu rendah, mengelakkan peningkatan belanjawan terma tambahan, yang penting untuk mengekalkan prestasi peranti.

Persekitaran kering: Keseluruhanproses goresandijalankan dalam keadaan kering sepenuhnya, menghapuskan risiko lekatan struktur.

Goresan Lapisan Atom (ALE)

Ciri mengehadkan diri: ALE ialah kitaran dua langkahteknologi etsa, di mana permukaan bahan yang akan terukir mula-mula diubah suai, dan kemudian lapisan yang diubah suai dikeluarkan tanpa menjejaskan bahagian yang tidak diubah suai. Setiap langkah adalah mengehadkan diri, memastikan ketepatan pada tahap mengalih keluar hanya beberapa lapisan atom pada satu masa.

Goresan kitaran: Dua langkah yang disebutkan di atas dikitar berulang kali sehingga kedalaman goresan yang dikehendaki dicapai. Proses ini membolehkan ALE mencapaietsa ketepatan peringkat atomdalam rongga bersaiz kecil pada dinding dalam.

Kami di Semicorex pakar dalamLarutan grafit bersalut SiC/TaCdigunakan dalam Proses Etsa dalam pembuatan semikonduktor, jika anda mempunyai sebarang pertanyaan atau memerlukan butiran tambahan, sila jangan teragak-agak untuk menghubungi kami.

Telefon untuk dihubungi: +86-13567891907

E-mel: sales@semicorex.com