> Berita > Berita Industri

Berita Industri

Langkah-langkah utama dalam pemprosesan substrat SiC

Pemprosesan substrat 4H-SiC terutamanya termasuk langkah-langkah berikut:

Parameter Utama Substrat Silikon Karbida (SiC).

Proses pengeluaran Silicon Carbide (SiC) merangkumi penyediaan substrat dan epitaksi dari bahagian bahan, diikuti dengan reka bentuk dan pembuatan cip, pembungkusan peranti, dan akhirnya, pengedaran ke pasaran aplikasi hiliran. Di antara peringkat ini, pemprosesan bahan substrat adalah aspek yang pa......

Baca Lagi

Aplikasi Silicon Carbide

Silikon karbida mempunyai sejumlah besar aplikasi dalam industri baru muncul dan industri tradisional. Pada masa ini, pasaran semikonduktor global telah melebihi 100 bilion yuan. Dijangkakan menjelang 2025, jualan global bahan pembuatan semikonduktor akan mencapai 39.5 bilion dolar AS, yang mana pas......

Baca Lagi

Pengenalan kepada Proses Implantasi dan Penyepuhlindapan Ion Silikon Karbida

Dalam fabrikasi peranti kuasa silikon tradisional, resapan suhu tinggi dan implantasi ion berdiri sebagai kaedah utama untuk kawalan dopan, masing-masing dengan kelebihan dan kekurangannya. Lazimnya, resapan suhu tinggi dicirikan oleh kesederhanaan, keberkesanan kos, profil pengedaran dopan isotropi......

Baca Lagi

Kaedah untuk menyediakan serbuk SiC

Silikon karbida (SiC) ialah bahan bukan organik. Jumlah karbida silikon semulajadi adalah sangat kecil. Ia adalah mineral yang jarang ditemui dan dipanggil moissanite. Silikon karbida yang digunakan dalam pengeluaran perindustrian kebanyakannya disintesis secara buatan.

Baca Lagi

Lapisan Epitaxial: Asas Peranti Semikonduktor Termaju

Dalam industri semikonduktor, lapisan epitaxial memainkan peranan penting dengan membentuk filem nipis kristal tunggal tertentu di atas substrat wafer, secara kolektif dikenali sebagai wafer epitaxial. Terutamanya, lapisan epitaxial silikon karbida (SiC) yang ditanam pada substrat SiC konduktif meng......

Baca Lagi

<...10 11 12 13 14...22 >