- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Berita
Mengenai kecacatan pada kristal SiC - Micropipe
Substrat SiC boleh mempunyai kecacatan mikroskopik, seperti Dislokasi Skru Benang (TSD), Dislokasi Tepi Benang (TED), Dislokasi Satah Asas (BPD) dan lain-lain. Kecacatan ini disebabkan oleh penyelewengan dalam susunan atom pada peringkat atom. Hablur SiC juga mungkin mempunyai kehelan makroskopik, s......
Baca Lagi
Salutan TaC
Menurut hasil penyelidikan, salutan TaC boleh bertindak sebagai lapisan perlindungan dan pengasingan untuk memanjangkan hayat komponen grafit, meningkatkan keseragaman suhu jejari, mengekalkan stoikiometri sublimasi SiC, menyekat penghijrahan kekotoran dan mengurangkan penggunaan tenaga. Akhirnya se......
Baca Lagi
Apakah proses CVD dalam semikonduktor?
Pemendapan wap kimia CVD merujuk kepada pengenalan dua atau lebih bahan mentah gas ke dalam ruang tindak balas di bawah keadaan vakum dan suhu tinggi, di mana bahan mentah gas bertindak balas antara satu sama lain untuk membentuk bahan baru, yang dimendapkan pada permukaan wafer.
Baca Lagi
Gambaran Keseluruhan Pembangunan Industri Fotovoltaik
Menjelang 2027, solar photovoltaic (PV) akan mengatasi arang batu sebagai kapasiti terpasang terbesar di dunia. Kapasiti terkumpul terpasang PV solar hampir tiga kali ganda dalam ramalan kami, berkembang hampir 1,500 gigawatt dalam tempoh ini, dan akan mengatasi gas asli menjelang 2026 dan arang bat......
Baca Lagi
