- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Berita
Bot SiC lwn. Bot Kuarza: Penggunaan Semasa dan Trend Masa Depan dalam Pembuatan Semikonduktor
Artikel ini menyelidiki penggunaan dan trajektori masa depan bot silikon karbida (SiC) berhubung dengan bot kuarza dalam industri semikonduktor, khususnya memfokuskan pada aplikasinya dalam pembuatan sel suria.
Baca Lagi
Wafer Epitaxial Gallium Nitride: Pengenalan kepada Proses Fabrikasi
Pertumbuhan wafer epitaxial Gallium Nitride (GaN) adalah proses yang kompleks, selalunya menggunakan kaedah dua langkah. Kaedah ini melibatkan beberapa peringkat kritikal, termasuk pembakar suhu tinggi, pertumbuhan lapisan penimbal, penghabluran semula dan penyepuhlindapan. Dengan mengawal suhu deng......
Baca Lagi
Aliran Proses Teras Substrat Silikon Karbida
Substrat silikon karbida adalah bahan kristal tunggal semikonduktor kompaun yang terdiri daripada dua unsur, karbon dan silikon. Ia mempunyai ciri-ciri jurang jalur yang besar, kekonduksian terma yang tinggi, kekuatan medan pecahan kritikal yang tinggi, dan kadar hanyutan tepu elektron yang tinggi.
Baca Lagi
Peranan Kritikal Substrat SiC dan Pertumbuhan Kristal dalam Industri Semikonduktor
Dalam rantaian industri silikon karbida (SiC), pembekal substrat memegang leverage yang ketara, terutamanya disebabkan oleh pengagihan nilai. Substrat SiC menyumbang 47% daripada jumlah nilai, diikuti oleh lapisan epitaxial pada 23%, manakala reka bentuk peranti dan pembuatan membentuk baki 30%. Ran......
Baca Lagi
