Crucibles grafit bersalut SIC

Dipasang di pusat relau pertumbuhan kristal suhu tinggi,Dipasang di pusat relau pertumbuhan kristal suhu tinggi,Grafit crucibles berfungsi bersamaan dengan pemanas, lengan penebat haba, tiub panduan aliran, dan aci yang boleh dibentuk untuk membentuk sistem medan terma yang lengkap. Sistem medan terma ini dapat mengekalkan persekitaran suhu tinggi yang stabil untuk pertumbuhan kristal.

Pengeluaran bersalut SICgrafit cruciblesBiasanya bermula dengan penggunaan teknologi pemendapan wap kimia maju untuk mendepositkan secara seragamSilicon CarbideLapisan di permukaan substrat grafit yang terbentuk. Terdiri daripada kemarahan tinggigrafitSubstrat dan salutan karbida silikon padat, grafit bersalut SIC-crucible membentuk struktur sinergi yang menggabungkan kekonduksian terma grafit dengan rintangan kakisan silikon karbida.

Kaedah Czochralski adalah teknik perindustrian sejagat untuk pertumbuhan kristal. Teknik ini akan menggunakan daya sentrifugal pada crucible semasa pengeluaran kristal. Kekuatan lenturan yang unggul dan ketangguhan crucibles grafit bersalut SIC boleh mencegah kerosakan atau retak semasa putaran berkelajuan tinggi, dengan berkesan mengurangkan gangguan pengeluaran yang disebabkan oleh kerosakan yang boleh dikendalikan. Di samping itu, crucibles perlu menjalani turun naik suhu drastik dalam masa yang singkat semasa proses ini. Terima kasih atas rintangan kejutan terma yang luar biasa, crucibles grafit bersalut SIC dapat mengurangkan kerosakan struktur yang berkaitan dengan tekanan haba, memastikan kestabilan bentuknya, dengan itu menurunkan kecacatan pertumbuhan kristal yang disebabkan oleh ubah bentuk yang crucible.

Di bawah suhu tinggi, crucibles grafit bersalut SIC akan membentuk lapisan pelindung padat karbida silikon. Lapisan pelindung ini boleh mengasingkan substrat grafit dari wap silikon dan silikon cair, dengan itu meminimumkan kakisan substrat grafit dan risiko pencemaran kristal yang dikaitkan dengan pengupas salutan. Oleh itu, crucibles grafit SICOREX bersalut SIC boleh menahan pelbagai persekitaran kakisan suhu tinggi kompleks untuk tempoh yang panjang dalam operasi sebenar. Ini memastikan komposisi kristal yang konsisten dan mengurangkan kadar kecacatan, yang kedua -duanya adalah penting untuk pengeluaran kristal semikonduktor berkualiti tinggi.