Halfmoon bersalut TaC

Semicorex TaC-coated Halfmoon menawarkan kelebihan yang menarik dalam pertumbuhan epitaxial silikon karbida (SiC) untuk elektronik kuasa dan aplikasi RF. Gabungan bahan ini menangani cabaran kritikal dalam epitaksi SiC, membolehkan kualiti wafer yang lebih tinggi, kecekapan proses yang lebih baik dan mengurangkan kos pembuatan. Kami di Semicorex berdedikasi untuk mengeluarkan dan membekalkan Halfmoon bersalut TaC berprestasi tinggi yang menggabungkan kualiti dengan kecekapan kos.**

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Halfmoon bersalut Semicorex TaC mengekalkan integriti struktur dan kerengsaan kimianya pada suhu tinggi (sehingga 2200°C) yang diperlukan untuk epitaksi SiC. Ini memastikan prestasi terma yang konsisten dan menghalang tindak balas yang tidak diingini dengan gas proses atau bahan sumber. Dan ia boleh direkayasa untuk mengoptimumkan kekonduksian terma dan emisitiviti, menggalakkan pengagihan haba yang seragam merentasi permukaan susceptor. Ini membawa kepada profil suhu wafer yang lebih homogen dan keseragaman yang lebih baik dalam ketebalan lapisan epitaxial dan kepekatan doping. Selain itu, pekali pengembangan terma Halfmoon bersalut TaC boleh disesuaikan agar sepadan dengan SiC, meminimumkan tekanan terma semasa kitaran pemanasan dan penyejukan. Ini mengurangkan tundukan wafer dan risiko pembentukan kecacatan, menyumbang kepada hasil peranti yang lebih tinggi.

Halfmoon bersalut TaC memanjangkan hayat perkhidmatan suseptor grafit dengan ketara berbanding alternatif tidak bersalut/SiC bersalut. Rintangan yang dipertingkatkan kepada pemendapan SiC dan degradasi haba mengurangkan kekerapan kitaran pembersihan dan penggantian, mengurangkan kos pembuatan keseluruhan.

Faedah untuk Prestasi Peranti SiC:

Kebolehpercayaan dan prestasi peranti yang dipertingkatkan:Keseragaman yang lebih baik dan ketumpatan kecacatan yang dikurangkan dalam lapisan epitaxial yang ditanam pada Halfmoon bersalut TaC diterjemahkan kepada hasil peranti yang lebih tinggi dan prestasi yang lebih baik dari segi voltan pecahan, rintangan pada dan kelajuan pensuisan.

Penyelesaian Kos Berkesan untuk Pengilangan Volume Tinggi:Jangka hayat yang dilanjutkan, keperluan penyelenggaraan yang dikurangkan dan kualiti wafer yang dipertingkatkan menyumbang kepada proses pembuatan yang lebih kos efektif untuk peranti kuasa SiC.

Halfmoon bersalut TaC Semicorex memainkan peranan penting dalam memajukan epitaksi SiC dengan menangani cabaran utama yang berkaitan dengan keserasian bahan, pengurusan haba dan pencemaran proses. Ini membolehkan pengeluaran wafer SiC berkualiti tinggi, yang membawa kepada peranti elektronik kuasa yang lebih cekap dan boleh dipercayai untuk aplikasi dalam kenderaan elektrik, tenaga boleh diperbaharui dan industri lain yang menuntut.