Grafit Ultra Nipis dengan Porositi Tinggi

Lekatan Zarah Permukaan Unggul dan Ciri Anti-Habuk Cemerlang: Grafit Ultra Nipis Semicorex dengan Porositi Tinggi mempamerkan lekatan zarah permukaan yang luar biasa, memastikan penjanaan habuk yang minimum dan mengekalkan persekitaran kerja yang bersih, yang penting untuk aplikasi sensitif seperti pembuatan semikonduktor.

Toleransi Suhu Tinggi: Grafit Ultra Nipis dengan Porositi Tinggi boleh menahan suhu melampau sehingga 2500°C, menjadikannya sesuai untuk proses suhu tinggi dan persekitaran di mana bahan konvensional akan gagal.

Porositi Tinggi sehingga 65%: Keliangan tinggi grafit berliang membolehkan aliran gas dan bendalir yang cekap, membolehkan pemindahan jisim dan pelesapan haba yang lebih baik dalam pelbagai aplikasi.

Grafit Berliang Ultra Nipis dengan Keupayaan Pemesinan Cemerlang: Grafit Ultra Nipis dengan Porositi Tinggi boleh direka bentuk menjadi kepingan ultra nipis senipis 1.5mm sambil mengekalkan keliangan yang tinggi, memberikan fleksibiliti dalam reka bentuk dan aplikasi.

Kebolehmesinan untuk Bentuk Silinder Berdinding Ultra Nipis: Grafit Ultra Nipis dengan Porositi Tinggi boleh dimesin menjadi bentuk silinder berdinding ultra nipis dengan ketebalan dinding ≤1mm, menawarkan kepelbagaian dalam reka bentuk dan fungsi komponen.

Sifat Penebat Cemerlang dan Konsistensi Kelompok: Grafit Ultra Nipis dengan Porositi Tinggi menunjukkan ciri-ciri penebat yang cemerlang dan prestasi kelompok-ke-kelompok yang konsisten, memastikan hasil yang boleh dipercayai dan boleh dihasilkan semula dalam aplikasi kritikal.

Bahan Grafit Berliang Ultra-Tulen: Grafit Ultra-Nipis dengan Poros Tinggi tersedia dalam bentuk ultra-tulen, mencapai tahap ketulenan tinggi yang penting untuk aplikasi yang menuntut seperti pembuatan semikonduktor.

Kekuatan Tinggi: Walaupun sifatnya berliang, Grafit Ultra Nipis dengan Porositi Tinggi mempamerkan kekuatan yang mengagumkan, menjadikannya sesuai untuk komponen struktur dan aplikasi galas beban.

Aplikasi dalam Pembuatan Semikonduktor:

Grafit Ultra Nipis dengan Porositi Tinggi digunakan terutamanya dalam industri semikonduktor, terutamanya dalam proses pemindahan jisim novel. Proses ini menggunakan medan terma baharu untuk pemindahan jisim satu laluan, meningkatkan kecekapan pemindahan dengan ketara dan mengekalkan kadar malar, dengan itu mengurangkan kesan penghabluran semula (mengelakkan pemindahan jisim dua laluan) dan meminimumkan paip mikro atau kecacatan kristal lain yang berkaitan dengan berkesan. Selain itu, grafit berliang membantu mengimbangi komponen fasa gas, mengasingkan kekotoran surih, melaraskan suhu setempat dan mengurangkan pengkapsulan zarah fizikal. Dengan memenuhi keperluan untuk kebolehgunaan kristal, grafit berliang membolehkan peningkatan yang ketara dalam ketebalan kristal, menjadikannya teknologi utama untuk menangani cabaran pertumbuhan kristal yang lebih tebal.