Plat Si Kristal Tunggal Epitaxial

Epitaxial Single-crystal Si Plate merangkumi kemuncak kehalusan, ketahanan dan kebolehpercayaan untuk aplikasi yang berkaitan dengan epitaksi grafit dan manipulasi wafer. Ia dibezakan dengan keupayaan pengurusan ketumpatan, planariti dan termanya, meletakkannya sebagai pilihan optimum untuk keadaan operasi yang ketat. Komitmen Semicorex terhadap kualiti peneraju pasaran, bersekutu dengan pertimbangan fiskal yang kompetitif, mengukuhkan semangat kami untuk mewujudkan perkongsian dalam memenuhi keperluan pengangkutan wafer semikonduktor anda.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Atribut terpenting bagi Plat Si Kristal Tunggal Epitaxial terletak pada ketumpatan unggulnya. Penyepaduan substrat grafit dengan salutan silikon karbida menghasilkan ketumpatan menyeluruh yang mahir melindungi daripada keadaan ketat yang dihadapi dalam persekitaran suhu tinggi dan menghakis. Lebih-lebih lagi, susceptor bersalut silikon karbida, yang disesuaikan untuk sintesis kristal tunggal, mempunyai profil permukaan yang sangat rata – penentu kritikal untuk pengeluaran wafer yang berterusan dengan kualiti yang sempurna.

Sama pentingnya kepada reka bentuk produk kami ialah pengurangan percanggahan pengembangan haba antara teras grafit dan penutup silikon karbidanya. Inovasi sedemikian meningkatkan keteguhan pelekat dengan ketara, sekali gus mengelakkan fenomena rekahan dan stratifikasi. Selaras dengan ini, Epitaxial Single-crystal Si Plate mempamerkan kekonduksian terma yang tinggi, berpasangan dengan kecenderungan yang boleh dipuji untuk peruntukan haba yang seragam – faktor yang memainkan peranan penting dalam mencapai kehomogenan suhu semasa kitaran pengeluaran.

Lebih-lebih lagi, Plat Si Kristal Tunggal Epitaxial menunjukkan daya tahan yang terpuji terhadap degradasi oksidatif dan menghakis pada suhu tinggi, menyokong jangka hayat dan kebolehpercayaannya. Ambangnya untuk ketahanan terma digariskan oleh takat lebur yang ketara, dengan itu memastikan keupayaannya untuk menahan persekitaran terma yang menuntut intrinsik kepada fabrikasi semikonduktor yang mahir