Epitaksi GaN

Semicorex menyediakan epitaksi GaN filem nipis tersuai HEMT (Gallium nitride) pada substrat Si/SiC/GaN. Semicorex komited untuk menyediakan produk berkualiti pada harga yang kompetitif, kami berharap untuk menjadi rakan kongsi jangka panjang anda di China.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Gallium Nitride GaN epitaxy ialah bahan semikonduktor celah jalur lebar dengan sifat elektrik dan optik yang sangat baik, menjadikannya calon yang menjanjikan untuk pelbagai peranti elektronik dan optoelektronik.

GaN epitaxy telah merevolusikan pembangunan peranti berasaskan GaN, termasuk elektronik berkuasa tinggi, pencahayaan keadaan pepejal (LED) dan peranti frekuensi tinggi. Keupayaan untuk mengembangkan lapisan epitaxial GaN berkualiti tinggi dengan kawalan tepat ke atas sifat bahan telah meningkatkan prestasi, kecekapan dan kebolehpercayaan peranti GaN dengan ketara, menyumbang kepada kemajuan dalam pelbagai industri, seperti elektronik kuasa, telekomunikasi dan elektronik pengguna.