GaN lwn SiC

Terdapat beberapa bahan yang sedang disiasat, antaranyasilikon karbidamenonjol sebagai salah satu yang paling menjanjikan. Sama sepertiGaN, ia mempunyai voltan operasi yang lebih tinggi, voltan pecahan yang lebih tinggi dan kekonduksian yang unggul berbanding silikon. Selain itu, terima kasih kepada kekonduksian haba yang tinggi,silikon karbidaboleh digunakan dalam persekitaran dengan suhu yang melampau. Akhir sekali, saiznya jauh lebih kecil namun mampu mengendalikan kuasa yang lebih besar.

WalaupunSiCadalah bahan yang sesuai untuk penguat kuasa, ia tidak sesuai untuk aplikasi frekuensi tinggi. Sebaliknya,GaNadalah bahan pilihan untuk membina penguat kuasa kecil. Walau bagaimanapun, jurutera menghadapi cabaran apabila menggabungkanGaNdengan transistor MOS silikon jenis P, kerana ia mengehadkan kekerapan dan kecekapanGaN. Walaupun gabungan ini menawarkan keupayaan pelengkap, ia bukanlah penyelesaian yang ideal untuk masalah tersebut.

Seiring kemajuan teknologi, penyelidik akhirnya mungkin mencari peranti GaN jenis P atau peranti pelengkap menggunakan teknologi berbeza yang boleh digabungkan denganGaN. Sehingga hari itu, bagaimanapun,GaNakan terus dihadkan oleh teknologi zaman kita.

Kemajuan daripadaGaNteknologi memerlukan usaha kolaboratif antara sains bahan, kejuruteraan elektrik dan fizik. Pendekatan antara disiplin ini adalah perlu untuk mengatasi batasan semasa bagiGaNteknologi. Jika kita boleh membuat kejayaan dalam membangunkan GaN jenis P atau mencari bahan pelengkap yang sesuai, ia bukan sahaja akan meningkatkan prestasi peranti berasaskan GaN tetapi juga menyumbang kepada bidang teknologi semikonduktor yang lebih luas. Ini boleh membuka jalan kepada sistem elektronik yang lebih cekap, padat dan boleh dipercayai pada masa hadapan.