Senario Aplikasi untuk Lapisan Epitaxial

Kami tahu bahawa lapisan epitaxial selanjutnya perlu dibina di atas beberapa substrat wafer untuk fabrikasi peranti, biasanya peranti pemancar cahaya LED, yang memerlukan lapisan epitaxial GaAs di atas substrat silikon; Lapisan epitaxial SiC ditanam di atas substrat SiC konduktif untuk membina peranti seperti SBD, MOSFET, dll. untuk voltan tinggi, arus tinggi dan aplikasi kuasa lain; Lapisan epitaxial GaN dibina di atas substrat SiC separa penebat untuk membina HEMT dan aplikasi RF lain. Lapisan epitaxial GaN dibina di atas substrat SiC separa terlindung untuk terus membina peranti HEMT untuk aplikasi RF seperti komunikasi.

Di sini perlu digunakanperalatan CVD(sudah tentu ada kaedah teknikal lain). Pemendapan Wap Kimia Organik Logam (MOCVD) adalah menggunakan unsur Kumpulan III dan II dan unsur Kumpulan V dan VI sebagai bahan sumber dan memendapkannya pada permukaan substrat melalui tindak balas penguraian terma untuk menumbuhkan pelbagai lapisan nipis Kumpulan III-V (GaN, GaAs, dsb.), Kumpulan II-VI (Si, SiC, dsb.) dan pelbagai penyelesaian pepejal. dan penyelesaian pepejal berbilang lapisan bahan kristal tunggal nipis adalah cara utama untuk menghasilkan peranti optoelektronik, peranti gelombang mikro, bahan peranti kuasa.