Terdapat dua jenis epitaksi: homogen dan heterogen. Untuk menghasilkan peranti SiC dengan rintangan khusus dan parameter lain untuk aplikasi yang berbeza, substrat mesti memenuhi syarat epitaksi sebelum pengeluaran boleh dimulakan. Kualiti epitaksi mempengaruhi prestasi peranti.
Baca LagiIn semiconductor fabrication, etching is one of the major steps, along with photolithography and thin-film deposition. It involves removing unwanted materials from the surface of a wafer using chemical or physical methods. This step is carried out after coating, photolithography, and developing. It ......
Baca LagiSubstrat SiC boleh mempunyai kecacatan mikroskopik, seperti Dislokasi Skru Benang (TSD), Dislokasi Tepi Benang (TED), Dislokasi Satah Asas (BPD) dan lain-lain. Kecacatan ini disebabkan oleh penyelewengan dalam susunan atom pada peringkat atom. Hablur SiC juga mungkin mempunyai kehelan makroskopik, s......
Baca Lagi