Dalam proses pertumbuhan kristal tunggal SiC dan AlN dengan kaedah pengangkutan wap fizikal (PVT), komponen seperti pijar, pemegang kristal benih dan cincin panduan memainkan peranan yang penting. Semasa proses penyediaan SiC, kristal benih terletak di kawasan suhu yang agak rendah, manakala bahan m......
Baca LagiBahan substrat SiC adalah teras cip SiC. Proses pengeluaran substrat ialah: selepas memperoleh jongkong kristal SiC melalui pertumbuhan kristal tunggal; kemudian menyediakan substrat SiC memerlukan pelicinan, pembulatan, pemotongan, pengisaran (penipisan); penggilap mekanikal, penggilap mekanikal ki......
Baca LagiSilikon karbida (SiC) ialah bahan yang mempunyai kestabilan terma, fizikal dan kimia yang luar biasa, mempamerkan sifat yang melebihi bahan konvensional. Kekonduksian termanya ialah 84W/(m·K) yang menakjubkan, yang bukan sahaja lebih tinggi daripada tembaga tetapi juga tiga kali ganda silikon. Ini m......
Baca LagiDalam bidang pembuatan semikonduktor yang berkembang pesat, walaupun penambahbaikan yang paling kecil boleh membuat perbezaan yang besar apabila ia datang untuk mencapai prestasi optimum, ketahanan dan kecekapan. Satu kemajuan yang menjana banyak heboh dalam industri ialah penggunaan salutan TaC (Ta......
Baca LagiIndustri karbida silikon melibatkan rantaian proses yang merangkumi penciptaan substrat, pertumbuhan epitaxial, reka bentuk peranti, pembuatan peranti, pembungkusan dan ujian. Secara umum, silikon karbida dicipta sebagai jongkong, yang kemudiannya dihiris, dikisar, dan digilap untuk menghasilkan sub......
Baca Lagi