- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Berita
Pengenalan kepada Semikonduktor Generasi Ketiga: GaN dan Teknologi Epitaxial Berkaitan
Bahan GaN menjadi terkenal berikutan penganugerahan Hadiah Nobel dalam Fizik 2014 untuk LED biru. Pada mulanya memasuki mata umum melalui aplikasi pengecasan pantas dalam elektronik pengguna, penguat kuasa berasaskan GaN dan peranti RF juga secara senyap-senyap muncul sebagai komponen kritikal dalam......
Baca Lagi
Substrat vs. Epitaksi: Peranan Utama dalam Pembuatan Semikonduktor
Dalam bidang teknologi semikonduktor dan mikroelektronik, konsep substrat dan epitaksi sangat penting. Mereka memainkan peranan penting dalam proses pembuatan peranti semikonduktor. Artikel ini akan menyelidiki perbezaan antara substrat semikonduktor dan epitaksi, meliputi definisi, fungsi, struktur......
Baca Lagi
Parameter Utama Substrat Silikon Karbida (SiC).
Proses pengeluaran Silicon Carbide (SiC) merangkumi penyediaan substrat dan epitaksi dari bahagian bahan, diikuti dengan reka bentuk dan pembuatan cip, pembungkusan peranti, dan akhirnya, pengedaran ke pasaran aplikasi hiliran. Di antara peringkat ini, pemprosesan bahan substrat adalah aspek yang pa......
Baca Lagi
Relau Pertumbuhan Kristal Silikon Karbida(SiC).
Pertumbuhan kristal adalah pautan teras dalam pengeluaran substrat Silicon Carbide, dan peralatan teras ialah relau pertumbuhan kristal. Sama seperti relau pertumbuhan kristal gred silikon kristal tradisional, struktur relau tidak begitu kompleks dan terutamanya terdiri daripada badan relau, sistem ......
Baca Lagi
Cabaran Aplikasi dan Pembangunan Komponen Grafit Bersalut TaC
Bahan semikonduktor celah jalur lebar generasi ketiga, seperti Gallium Nitride (GaN) dan Silicon Carbide (SiC), terkenal dengan penukaran optoelektronik yang luar biasa dan keupayaan penghantaran isyarat gelombang mikro. Bahan ini memenuhi keperluan menuntut peranti elektronik frekuensi tinggi, suhu......
Baca Lagi
