- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Berita
Sejarah Ringkas Silikon Karbida dan Aplikasi Salutan Silikon Karbida
Sejarah silikon karbida (SiC) bermula pada tahun 1891, apabila Edward Goodrich Acheson secara tidak sengaja menemuinya semasa cuba mensintesis berlian tiruan. Acheson memanaskan campuran tanah liat (aluminosilicate) dan serbuk kok (karbon) dalam relau elektrik. Daripada berlian yang diharapkan, dia ......
Baca Lagi
Kesukaran dalam penyediaan GaN
Sebagai bahan semikonduktor generasi ketiga, Gallium Nitride sering dibandingkan dengan Silicon Carbide. Gallium Nitride masih menunjukkan keunggulannya dengan jurang jalur yang besar, voltan pecahan tinggi, kekonduksian haba yang tinggi, halaju hanyutan elektron tepu yang tinggi dan rintangan sinar......
Baca Lagi
Pengenalan kepada Semikonduktor Generasi Ketiga: GaN dan Teknologi Epitaxial Berkaitan
Bahan GaN menjadi terkenal berikutan penganugerahan Hadiah Nobel dalam Fizik 2014 untuk LED biru. Pada mulanya memasuki mata umum melalui aplikasi pengecasan pantas dalam elektronik pengguna, penguat kuasa berasaskan GaN dan peranti RF juga secara senyap-senyap muncul sebagai komponen kritikal dalam......
Baca Lagi
Substrat vs. Epitaksi: Peranan Utama dalam Pembuatan Semikonduktor
Dalam bidang teknologi semikonduktor dan mikroelektronik, konsep substrat dan epitaksi sangat penting. Mereka memainkan peranan penting dalam proses pembuatan peranti semikonduktor. Artikel ini akan menyelidiki perbezaan antara substrat semikonduktor dan epitaksi, meliputi definisi, fungsi, struktur......
Baca Lagi
Parameter Utama Substrat Silikon Karbida (SiC).
Proses pengeluaran Silicon Carbide (SiC) merangkumi penyediaan substrat dan epitaksi dari bahagian bahan, diikuti dengan reka bentuk dan pembuatan cip, pembungkusan peranti, dan akhirnya, pengedaran ke pasaran aplikasi hiliran. Di antara peringkat ini, pemprosesan bahan substrat adalah aspek yang pa......
Baca Lagi
