> Berita

Berita

Kesukaran dalam menyediakan substrat SiC

Pada masa ini, arah aliran pembangunan substrat yang paling penting ialah mengembangkan diameter. Barisan pengeluaran besar-besaran 6 inci dalam pasaran SiC global semakin matang, dan syarikat terkemuka telah memasuki pasaran 8 inci.

Baca Lagi

Substrat Silikon Karbida

Proses substrat silikon karbida adalah kompleks dan sukar untuk dihasilkan. Substrat SiC menduduki nilai utama rantaian industri, menyumbang 47%. Dijangkakan dengan pengembangan kapasiti pengeluaran dan peningkatan hasil pada masa hadapan, ia dijangka menurun kepada 30%.

Baca Lagi

Memahami Teknologi Goresan Kering dalam Industri Semikonduktor

Pada masa ini, banyak peranti semikonduktor menggunakan struktur peranti mesa, yang kebanyakannya dicipta melalui dua jenis goresan: goresan basah dan goresan kering. Walaupun goresan basah yang mudah dan pantas memainkan peranan penting dalam fabrikasi peranti semikonduktor, ia mempunyai kelemahan ......

Baca Lagi

Kelebihan Silikon Karbida Seramik dalam Industri Gentian Optik

Seramik silikon karbida menawarkan banyak kelebihan dalam industri gentian optik, termasuk kestabilan suhu tinggi, pekali pengembangan haba yang rendah, ambang kehilangan dan kerosakan yang rendah, kekuatan mekanikal, rintangan kakisan, kekonduksian terma yang baik, dan pemalar dielektrik yang renda......

Baca Lagi

Pengenalan kepada Peranti Kuasa Silicon Carbide

Peranti kuasa silikon karbida (SiC) ialah peranti semikonduktor yang diperbuat daripada bahan silikon karbida, terutamanya digunakan dalam aplikasi elektronik frekuensi tinggi, suhu tinggi, voltan tinggi dan berkuasa tinggi. Berbanding dengan peranti kuasa berasaskan silikon (Si) tradisional, perant......

Baca Lagi

Teknologi Epitaksi Wafer Silikon Karbida

Silicon Carbide umumnya menggunakan kaedah PVT, dengan suhu lebih daripada 2000 darjah, kitaran pemprosesan yang panjang, dan output yang rendah, jadi kos substrat Silicon Carbide sangat tinggi.

Baca Lagi

<...19 20 21 22 23...37 >