- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Berita
Memperkenalkan teknologi teras bot grafit
Graphite Boat, berdiri di barisan hadapan dalam inovasi teknologi dalam industrinya, menampilkan rangkaian kemajuan terobosan yang direka untuk meningkatkan prestasi, kesucian dan jangka hayat. Di bawah, kami menyelidiki teknologi teras yang mentakrifkan kecemerlangan bot grafit:
Baca Lagi
Grafit Berliang untuk Pertumbuhan Kristal SiC Berkualiti Tinggi dengan Kaedah PVT
Silicon Carbide (SiC) telah muncul sebagai bahan utama dalam bidang teknologi semikonduktor, menawarkan sifat luar biasa yang menjadikannya sangat diingini untuk pelbagai aplikasi elektronik dan optoelektronik. Pengeluaran kristal tunggal SiC berkualiti tinggi adalah penting untuk memajukan keupayaa......
Baca Lagi
3 kaedah pengacuan grafit
Empat kaedah pengacuan utama untuk pengacuan grafit ialah: pengacuan penyemperitan, pengacuan, pengacuan getaran dan pengacuan isostatik. Kebanyakan bahan karbon/grafit biasa di pasaran diacu oleh penyemperitan dan pengacuan panas (sejuk atau panas), dan pengacuan isostatik ialah kaedah dengan prest......
Baca Lagi
Apakah grafit isostatik?
Grafit khusus ialah grafit dengan pecahan jisim karbon lebih daripada 99.99%, juga dikenali sebagai "tiga grafit tinggi" (kekuatan tinggi, ketumpatan tinggi, ketulenan tinggi). Ia dicirikan oleh kekuatan tinggi, ketumpatan tinggi, ketulenan tinggi, kestabilan kimia yang tinggi, kekonduksian haba dan......
Baca Lagi
Memperkenalkan Pengangkutan Wap Fizikal (PVT)
Ciri-ciri SiC sendiri menentukan pertumbuhan kristal tunggalnya lebih sukar. Disebabkan ketiadaan fasa cecair Si:C=1:1 pada tekanan atmosfera, proses pertumbuhan yang lebih matang yang diterima pakai oleh arus perdana industri semikonduktor tidak boleh digunakan untuk mengembangkan kaedah pertumbuha......
Baca Lagi
Mengeluarkan Produk Epitaxial GaN HEMT Kuasa Tinggi 850V
Pada November 2023, Semicorex mengeluarkan produk epitaxial GaN-on-Si 850V untuk aplikasi peranti kuasa HEMT voltan tinggi dan arus tinggi. Berbanding dengan substrat lain untuk peranti kuasa HMET, GaN-on-Si membolehkan saiz wafer yang lebih besar dan aplikasi yang lebih pelbagai, dan ia juga boleh ......
Baca Lagi
