Pertumbuhan wafer epitaxial Gallium Nitride (GaN) adalah proses yang kompleks, selalunya menggunakan kaedah dua langkah. Kaedah ini melibatkan beberapa peringkat kritikal, termasuk pembakar suhu tinggi, pertumbuhan lapisan penimbal, penghabluran semula dan penyepuhlindapan. Dengan mengawal suhu deng......
Baca LagiEtsa adalah proses penting dalam pembuatan semikonduktor. Proses ini boleh dikategorikan kepada dua jenis: goresan kering dan goresan basah. Setiap teknik mempunyai kelebihan dan batasannya sendiri, menjadikannya penting untuk memahami perbezaan antara mereka. Jadi, bagaimana anda memilih kaedah ets......
Baca LagiSemikonduktor generasi ketiga semasa adalah berasaskan Silicon Carbide, dengan substrat menyumbang 47% daripada kos peranti, dan epitaksi menyumbang 23%, berjumlah kira-kira 70% dan membentuk bahagian paling penting dalam industri pembuatan peranti SiC.
Baca LagiSeramik silikon karbida menawarkan banyak kelebihan dalam industri gentian optik, termasuk kestabilan suhu tinggi, pekali pengembangan haba yang rendah, ambang kehilangan dan kerosakan yang rendah, kekuatan mekanikal, rintangan kakisan, kekonduksian terma yang baik, dan pemalar dielektrik yang renda......
Baca LagiSejarah silikon karbida (SiC) bermula pada tahun 1891, apabila Edward Goodrich Acheson secara tidak sengaja menemuinya semasa cuba mensintesis berlian tiruan. Acheson memanaskan campuran tanah liat (aluminosilicate) dan serbuk kok (karbon) dalam relau elektrik. Daripada berlian yang diharapkan, dia ......
Baca Lagi