Baru-baru ini, syarikat kami mengumumkan bahawa syarikat itu telah berjaya membangunkan kristal tunggal Gallium Oxide 6-inci menggunakan kaedah tuangan, menjadi syarikat perindustrian domestik pertama yang menguasai teknologi penyediaan substrat kristal tunggal Gallium Oxide 6-inci.
Baca LagiProses pertumbuhan silikon monohabluran kebanyakannya berlaku dalam medan haba, di mana kualiti persekitaran terma memberi kesan ketara kepada kualiti kristal dan kecekapan pertumbuhan. Reka bentuk medan haba memainkan peranan penting dalam membentuk kecerunan suhu dan dinamik aliran gas dalam ruang......
Baca LagiSilikon karbida (SiC) ialah bahan yang mempunyai tenaga ikatan yang tinggi, sama seperti bahan keras lain seperti berlian dan boron nitrida padu. Walau bagaimanapun, tenaga ikatan tinggi SiC menyukarkan untuk menghablur terus ke dalam jongkong melalui kaedah lebur tradisional. Oleh itu, proses pertu......
Baca LagiBahan semikonduktor boleh dibahagikan kepada tiga generasi mengikut urutan masa. Generasi pertama germanium, silikon dan monomaterial biasa lain, yang dicirikan oleh pensuisan yang mudah, biasanya digunakan dalam litar bersepadu. Generasi kedua galium arsenide, indium phosphide dan semikonduktor kom......
Baca Lagi