- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Berita Syarikat
Bahan Teras untuk Pertumbuhan SiC: Salutan Tantalum Carbide
Semikonduktor generasi ketiga semasa adalah berasaskan Silicon Carbide, dengan substrat menyumbang 47% daripada kos peranti, dan epitaksi menyumbang 23%, berjumlah kira-kira 70% dan membentuk bahagian paling penting dalam industri pembuatan peranti SiC.
Baca Lagi
Kelebihan Silikon Karbida Seramik dalam Industri Gentian Optik
Seramik silikon karbida menawarkan banyak kelebihan dalam industri gentian optik, termasuk kestabilan suhu tinggi, pekali pengembangan haba yang rendah, ambang kehilangan dan kerosakan yang rendah, kekuatan mekanikal, rintangan kakisan, kekonduksian terma yang baik, dan pemalar dielektrik yang renda......
Baca Lagi
Sejarah Ringkas Silikon Karbida dan Aplikasi Salutan Silikon Karbida
Sejarah silikon karbida (SiC) bermula pada tahun 1891, apabila Edward Goodrich Acheson secara tidak sengaja menemuinya semasa cuba mensintesis berlian tiruan. Acheson memanaskan campuran tanah liat (aluminosilicate) dan serbuk kok (karbon) dalam relau elektrik. Daripada berlian yang diharapkan, dia ......
Baca Lagi
Relau Pertumbuhan Kristal Silikon Karbida(SiC).
Pertumbuhan kristal adalah pautan teras dalam pengeluaran substrat Silicon Carbide, dan peralatan teras ialah relau pertumbuhan kristal. Sama seperti relau pertumbuhan kristal gred silikon kristal tradisional, struktur relau tidak begitu kompleks dan terutamanya terdiri daripada badan relau, sistem ......
Baca Lagi
Cabaran Aplikasi dan Pembangunan Komponen Grafit Bersalut TaC
Bahan semikonduktor celah jalur lebar generasi ketiga, seperti Gallium Nitride (GaN) dan Silicon Carbide (SiC), terkenal dengan penukaran optoelektronik yang luar biasa dan keupayaan penghantaran isyarat gelombang mikro. Bahan ini memenuhi keperluan menuntut peranti elektronik frekuensi tinggi, suhu......
Baca Lagi
Apakah Bot SiC, dan Apakah Pelbagai Proses Pengilangannya?
Bot SiC, singkatan untuk bot silikon karbida, ialah aksesori tahan suhu tinggi yang digunakan dalam tiub relau untuk membawa wafer semasa pemprosesan suhu tinggi. Disebabkan sifat cemerlang silikon karbida seperti ketahanan terhadap suhu tinggi, kakisan kimia, dan kestabilan haba yang sangat baik, b......
Baca Lagi
