Pembangunan 3C-SiC, politaip silikon karbida yang ketara, mencerminkan kemajuan berterusan sains bahan semikonduktor. Pada tahun 1980-an, Nishino et al. pertama kali mencapai filem 3C-SiC setebal 4 μm pada substrat silikon menggunakan pemendapan wap kimia (CVD)[1], meletakkan asas untuk teknologi fi......
Baca LagiLapisan silikon karbida (SiC) yang tebal, ketulenan tinggi, biasanya melebihi 1mm, merupakan komponen kritikal dalam pelbagai aplikasi bernilai tinggi, termasuk fabrikasi semikonduktor dan teknologi aeroangkasa. Artikel ini menyelidiki proses Pemendapan Wap Kimia (CVD) untuk menghasilkan lapisan sed......
Baca LagiSilikon kristal tunggal dan silikon polihabluran masing-masing mempunyai kelebihan unik dan senario yang boleh digunakan. Silikon kristal tunggal sesuai untuk produk elektronik berprestasi tinggi dan mikroelektronik kerana sifat elektrik dan mekanikalnya yang sangat baik. Silikon polihabluran pula m......
Baca LagiDalam proses penyediaan wafer, terdapat dua pautan teras: satu ialah penyediaan substrat, dan satu lagi ialah pelaksanaan proses epitaxial. Substrat, wafer yang dibuat dengan teliti daripada bahan kristal tunggal semikonduktor, boleh terus dimasukkan ke dalam proses pembuatan wafer sebagai asas untu......
Baca LagiPemendapan Wap Kimia (CVD) ialah teknik pemendapan filem nipis serba boleh yang digunakan secara meluas dalam industri semikonduktor untuk fabrikasi filem nipis konform yang berkualiti tinggi pada pelbagai substrat. Proses ini melibatkan tindak balas kimia prekursor gas ke atas permukaan substrat ya......
Baca Lagi