> Berita

Berita

Peranan Kritikal Substrat SiC dan Pertumbuhan Kristal dalam Industri Semikonduktor

Dalam rantaian industri silikon karbida (SiC), pembekal substrat memegang leverage yang ketara, terutamanya disebabkan oleh pengagihan nilai. Substrat SiC menyumbang 47% daripada jumlah nilai, diikuti oleh lapisan epitaxial pada 23%, manakala reka bentuk peranti dan pembuatan membentuk baki 30%. Ran......

Baca Lagi

Penggunaan SiC dan GaN dalam kenderaan elektrik

MOSFET SiC ialah transistor yang menawarkan ketumpatan kuasa tinggi, kecekapan yang dipertingkatkan dan kadar kegagalan yang rendah pada suhu tinggi. Kelebihan MOSFET SiC ini membawa banyak faedah kepada kenderaan elektrik (EV), termasuk jarak pemanduan yang lebih panjang, pengecasan lebih pantas da......

Baca Lagi

Semikonduktor Generasi Ke-4 Gallium Oxide/β-Ga2O3

Bahan semikonduktor generasi pertama diwakili terutamanya oleh silikon (Si) dan germanium (Ge), yang mula meningkat pada tahun 1950-an. Germanium adalah dominan pada hari-hari awal dan digunakan terutamanya dalam transistor dan fotodetektor voltan rendah, frekuensi rendah, kuasa sederhana, tetapi di......

Baca Lagi

Pertumbuhan Epitaxial Tanpa Kecacatan dan Dislokasi Tidak Sesuai

Pertumbuhan epitaxial tanpa kecacatan berlaku apabila satu kekisi kristal mempunyai pemalar kekisi yang hampir sama dengan yang lain. Pertumbuhan berlaku apabila tapak kekisi dua kekisi di rantau antara muka hampir dipadankan, yang mungkin dengan ketidakpadanan kekisi kecil (kurang daripada 0.1%). P......

Baca Lagi

Proses Pengoksidaan

Peringkat paling asas dari semua proses ialah proses pengoksidaan. Proses pengoksidaan adalah untuk meletakkan wafer silikon dalam suasana oksidan seperti oksigen atau wap air untuk rawatan haba suhu tinggi (800~1200 ℃), dan tindak balas kimia berlaku pada permukaan wafer silikon untuk membentuk fil......

Baca Lagi

Mengapa Epitaksi Gllium Nitride (GaN) Tidak Tumbuh pada substrat GaN?

Pertumbuhan epitaksi GaN pada substrat GaN memberikan cabaran yang unik, walaupun sifat unggul bahan jika dibandingkan dengan silikon. GaN epitaxy menawarkan kelebihan ketara dari segi lebar jurang jalur, kekonduksian terma dan medan elektrik pecahan berbanding bahan berasaskan silikon. Ini menjadik......

Baca Lagi

<...9 10 11 12 13...30 >