Chuck Elektrostatik PBN

Sifat Bahan bagiPBNChuck Elektrostatik

Rintangan Suhu Tinggi dan Kekuatan Dielektrik

ThePBNChuck Elektrostatik terkenal dengan rintangan suhu tinggi yang luar biasa, sifat yang penting dalam proses pembuatan semikonduktor. Pyrolytic Boron Nitride (PBN), bahan yang digunakan dalam pembinaan chuck, mempamerkan kerintangan yang lebih tinggi daripada seramik yang biasa digunakan, yang penting untuk mengekalkan daya chuck Johnsen-Rahbek (J-R) sehingga suhu 1050°C. Kerintangan tinggi ini, ditambah dengan kekuatan dielektriknya yang tinggi, memastikan kerosakan elektrik dihalang dengan berkesan walaupun di bawah haba yang sengit, sekali gus meningkatkan kebolehpercayaan operasi chuck.

Keseragaman Terma dan Rintangan Kejutan

Struktur kekisi heksagon PBN, disediakan melalui pemendapan wap kimia pada suhu melebihi 1500°C, menyumbang kepada keseragaman haba dan rintangan hentakan yang luar biasa. Elemen pemanasan berketumpatan tinggi dalamPBNChuck Elektrostatik membolehkannya mencapai profil terma wafer yang konsisten dengan keseragaman yang baik 1.1–1.5% pada suhu 600–800°C. Selain itu, chuck berasaskan PBN menunjukkan rintangan kejutan terma yang luar biasa dan jisim terma yang lebih rendah, membolehkan ia mencapai 600°C pada kelajuan tanjakan pantas 23°C/saat tanpa risiko retak atau delaminasi.

Pemanasan Berbilang Zon Boleh Disesuaikan

Chuck Elektrostatik PBN sangat boleh disesuaikan, menampilkan keupayaan pemanasan berbilang zon yang membolehkan kawalan suhu maksimum. Tahap penyesuaian ini memastikan setiap chuck boleh disesuaikan untuk memenuhi keperluan khusus pelanggan individu, menyediakan penyelesaian yang fleksibel untuk pelbagai aplikasi pemprosesan semikonduktor.

Aplikasi daripadaPBNChuck Elektrostatik

Implantasi Ion dan Pengendalian Wafer

Chuck Elektrostatik PBN ialah alat pengendalian wafer pilihan dalam proses implantasi ion. Keupayaannya untuk memegang wafer pada suhu melebihi 1000°C menjadikannya salah satu chuck elektrostatik paling serba boleh di pasaran. Fleksibiliti ini dipertingkatkan lagi dengan kapasitinya untuk mengekalkan wafer dalam julat suhu yang sangat ketat, berkat elemen pemanasan berbilang zon berketumpatan tinggi.

Implantasi Ion Silikon Karbida

Dalam aplikasi khusus implantasi ion SiC, yangPBNChuck Elektrostatik menawarkan penyelesaian yang berdaya maju kepada cabaran pemanasan dan pengendalian wafer. Keupayaan dwi-fungsinya, yang termasuk daya chuck yang tinggi, kuasa pemanasan yang tinggi, keseragaman terma yang baik, dan tindak balas pantas, menjadikannya pilihan yang ideal untuk menangani keperluan kompleks implantasi ion SiC.

Pembuatan Semikonduktor

Chuck Elektrostatik PBN memainkan peranan penting dalam pembuatan semikonduktor, di mana pengendalian wafer dan kawalan suhu yang tepat adalah penting. Rintangan kejutan haba yang tinggi dan keupayaan ramping suhu yang pantas menjadikannya sesuai untuk proses semikonduktor lanjutan yang memerlukan pengurusan suhu yang ketat dan kitaran haba yang pantas.