SiC Epi-Wafer Susceptor

Semicorex ialah pengeluar dan pembekal Susceptor Grafit Bersalut Silikon Karbida berskala besar di China. Kami memberi tumpuan kepada industri semikonduktor seperti lapisan silikon karbida dan semikonduktor epitaksi. Susceptor Epi-Wafer SiC kami mempunyai kelebihan harga yang baik dan meliputi kebanyakan pasaran Eropah dan Amerika. Kami berharap untuk menjadi rakan kongsi jangka panjang anda.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Semicorex membekalkan SiC Epi-Wafer Susceptor yang disalut oleh MOCVD yang digunakan untuk menyokong wafer. Pembinaan grafit bersalut silikon karbida (SiC) ketulenan tinggi mereka memberikan rintangan haba yang unggul, malah keseragaman haba untuk ketebalan dan rintangan lapisan epi yang konsisten, dan rintangan kimia yang tahan lama. Salutan kristal SiC yang halus menyediakan permukaan yang bersih, licin, kritikal untuk pengendalian kerana wafer tulen menghubungi susceptor di banyak titik di seluruh kawasannya.
Susceptor Epi-Wafer SiC kami direka untuk mencapai corak aliran gas lamina terbaik, memastikan kesamaan profil terma. Ini membantu mengelakkan sebarang pencemaran atau resapan kekotoran, memastikan pertumbuhan epitaxial berkualiti tinggi pada cip wafer.
Hubungi kami hari ini untuk mengetahui lebih lanjut tentang SiC Epi-Wafer Susceptor kami.

Parameter Susceptor Epi-Wafer SiC

Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC
Sifat SiC-CVD
Struktur Kristal	Fasa FCC Î²
Ketumpatan	g/cm ³	3.21
Kekerasan	Kekerasan Vickers	2500
Saiz bijirin	Î¼m	2~10
Ketulenan Kimia	%	99.99995
Kapasiti Haba	J·kg-1 ·K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Feleksural	MPa (RT 4 mata)	415
Modulus Muda	Gpa (4pt selekoh, 1300â)	430
Pengembangan Terma (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Kekonduksian terma	(W/mK)	300

Ciri-ciri SiC Epi-Wafer Susceptor

Grafit bersalut SiC ketulenan tinggi
Rintangan haba yang unggul & keseragaman haba
Disalut kristal SiC halus untuk permukaan licin
Ketahanan tinggi terhadap pembersihan kimia
Bahan direka supaya keretakan dan delaminasi tidak berlaku.