Semicorex ialah pengeluar dan pembekal Susceptor Grafit Bersalut Silikon Karbida berskala besar di China. Kami memberi tumpuan kepada industri semikonduktor seperti lapisan silikon karbida dan semikonduktor epitaksi. Susceptor Epi-Wafer SiC kami mempunyai kelebihan harga yang baik dan meliputi kebanyakan pasaran Eropah dan Amerika. Kami berharap untuk menjadi rakan kongsi jangka panjang anda.
Semicorex membekalkan SiC Epi-Wafer Susceptor yang disalut oleh MOCVD yang digunakan untuk menyokong wafer. Pembinaan grafit bersalut silikon karbida (SiC) ketulenan tinggi mereka memberikan rintangan haba yang unggul, malah keseragaman haba untuk ketebalan dan rintangan lapisan epi yang konsisten, dan rintangan kimia yang tahan lama. Salutan kristal SiC yang halus menyediakan permukaan yang bersih, licin, kritikal untuk pengendalian kerana wafer tulen menghubungi susceptor di banyak titik di seluruh kawasannya.
Susceptor Epi-Wafer SiC kami direka untuk mencapai corak aliran gas lamina terbaik, memastikan kesamaan profil terma. Ini membantu mengelakkan sebarang pencemaran atau resapan kekotoran, memastikan pertumbuhan epitaxial berkualiti tinggi pada cip wafer.
Hubungi kami hari ini untuk mengetahui lebih lanjut tentang SiC Epi-Wafer Susceptor kami.
Parameter Susceptor Epi-Wafer SiC
Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC |
||
Sifat SiC-CVD |
||
Struktur Kristal |
fasa FCC β |
|
Ketumpatan |
g/cm ³ |
3.21 |
Kekerasan |
Kekerasan Vickers |
2500 |
Saiz Bijirin |
μm |
2~10 |
Ketulenan Kimia |
% |
99.99995 |
Kapasiti Haba |
J kg-1 K-1 |
640 |
Suhu Sublimasi |
℃ |
2700 |
Kekuatan Feleksural |
MPa (RT 4 mata) |
415 |
Modulus Muda |
Gpa (4pt selekoh, 1300℃) |
430 |
Pengembangan Terma (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Kekonduksian terma |
(W/mK) |
300 |
Ciri-ciri SiC Epi-Wafer Susceptor
Grafit bersalut SiC ketulenan tinggi
Rintangan haba yang unggul & keseragaman haba
Disalut kristal SiC halus untuk permukaan licin
Ketahanan tinggi terhadap pembersihan kimia
Bahan direka supaya keretakan dan delaminasi tidak berlaku.