Penerima Wafer

Semicorex Wafer Susceptor direka dengan mahir daripada grafit dan disalut dengan silikon karbida (SiC) untuk memenuhi syarat-syarat yang menuntut pembuatan semikonduktor moden.

Dalam proses epitaksi, mengekalkan persekitaran yang stabil dan terkawal adalah sangat penting. Wafer Susceptor berfungsi sebagai platform asas di mana wafer diletakkan semasa pemendapan, memenuhi keperluan yang tepat untuk keseragaman suhu, lengai kimia dan kekuatan mekanikal untuk mencapai lapisan epitaxial berkualiti tinggi.

Pemilihan grafit sebagai bahan asas untuk Susceptor Wafer didorong oleh kekonduksian haba dan sifat mekanikal yang sangat baik. Keupayaan grafit untuk menahan suhu tinggi sambil mengekalkan integriti struktur adalah penting dalam persekitaran suhu tinggi reaktor epitaksi. Selain itu, kekonduksian terma grafit memastikan pengagihan haba yang cekap merentasi wafer, mengurangkan risiko kecerunan suhu yang boleh membawa kepada kecacatan pada lapisan epitaxial.

Untuk meningkatkan prestasi Susceptor Wafer, salutan silikon karbida (SiC) digunakan secara pakar pada asas grafit. SiC ialah bahan yang sangat tahan lasak dengan rintangan kimia yang unggul, menjadikannya sesuai untuk digunakan dalam persekitaran semikonduktor di mana gas reaktif sering hadir. Salutan SiC menyediakan penghalang pelindung yang melindungi grafit daripada tindak balas kimia yang berpotensi, memastikan jangka hayat susceptor wafer dan mengekalkan persekitaran yang bersih dalam reaktor.

Susceptor Wafer Semicorex yang diperbuat daripada grafit bersalut SiC adalah komponen yang sangat diperlukan dalam proses epitaksi semikonduktor. Gabungan sifat terma dan mekanikal grafit dengan kestabilan kimia dan haba silikon karbida menjadikannya sangat sesuai untuk permintaan ketat pembuatan semikonduktor moden. Reka bentuk wafer tunggal menawarkan kawalan tepat ke atas proses epitaksi, menyumbang kepada pengeluaran peranti semikonduktor berkualiti tinggi. Susceptor ini memastikan bahawa wafer dikendalikan dengan penuh berhati-hati dan ketepatan, menghasilkan lapisan epitaxial yang unggul dan produk semikonduktor yang berprestasi lebih baik.