Substrat Gallium Oksida 4"

Substrat Gallium Oxide Semicorex 4" mewakili lembaran baharu dalam kisah semikonduktor generasi keempat, dengan kadar pengeluaran besar-besaran dan pengkomersilan yang semakin pantas. Substrat ini mempamerkan faedah luar biasa untuk pelbagai aplikasi teknologi canggih. Substrat Gallium Oxide bukan sahaja melambangkan kemajuan yang ketara dalam teknologi semikonduktor tetapi juga membuka jalan baharu untuk meningkatkan kecekapan dan prestasi peranti merentas spektrum industri yang mempunyai kepentingan tinggi Kami di Semicorex berdedikasi untuk mengeluarkan dan membekalkan Substrat Gallium Oksida berprestasi tinggi yang menggabungkan kualiti dengan kecekapan kos.**

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Substrat Semicorex 4" Gallium Oxide mempamerkan kestabilan kimia dan haba yang sangat baik, memastikan prestasinya kekal konsisten dan boleh dipercayai walaupun dalam keadaan yang melampau. Kekukuhan ini penting dalam aplikasi yang melibatkan suhu tinggi dan persekitaran reaktif. Selain itu, Substrat Gallium Oxide 4" mengekalkan ketelusan optik yang sangat baik merentasi julat panjang gelombang yang luas daripada ultraungu kepada inframerah, menjadikannya menarik untuk aplikasi optoelektronik termasuk diod pemancar cahaya dan diod laser.

Dengan jurang jalur antara 4.7 hingga 4.9 eV, Substrat Gallium Oxide 4" dengan ketara mengatasi Silicon Carbide (SiC) dan Gallium Nitride (GaN) dalam kekuatan medan elektrik kritikal, mencecah sehingga 8 MV/cm berbanding dengan 2.5 MV/cm SiC dan Sifat GaN 3.3 MV/cm ini, digabungkan dengan mobiliti elektron 250 cm²/Vs dan ketelusan yang dipertingkatkan dalam mengalirkan elektrik, memberikan Substrat Gallium Oxide 4" kelebihan yang ketara dalam elektronik kuasa. Angka merit Baliganya melebihi 3000, beberapa kali ganda berbanding GaN dan SiC, menunjukkan kecekapan unggul dalam aplikasi kuasa.

Substrat Semicorex 4" Gallium Oxide sangat berfaedah untuk digunakan dalam komunikasi, radar, aeroangkasa, kereta api berkelajuan tinggi dan kenderaan tenaga baharu. Mereka sangat sesuai untuk penderia pengesanan sinaran dalam sektor ini, terutamanya dalam kuasa tinggi, suhu tinggi, dan peranti frekuensi tinggi di mana Ga2O3 menunjukkan kelebihan ketara berbanding SiC dan GaN.