Substrat Ga2O3

Ga2O3 menonjol sebagai semikonduktor celah jalur lebar, memastikan kestabilan dan daya tahan dalam keadaan yang melampau, menjadikannya sesuai untuk persekitaran suhu tinggi dan sinaran tinggi.

Dengan kekuatan medan pecahan yang tinggi dan nilai Baliga yang luar biasa, Ga2O3 cemerlang dalam aplikasi voltan tinggi dan kuasa tinggi, menawarkan kebolehpercayaan yang tiada tandingan dan kehilangan kuasa yang rendah.

Ga2O3 mengatasi bahan tradisional dengan prestasi kuasa yang unggul. Nilai Baliga untuk Ga2O3 adalah empat kali ganda daripada GaN dan sepuluh kali ganda daripada SiC, diterjemahkan kepada ciri pengaliran yang sangat baik dan kecekapan kuasa. Peranti Ga2O3 mempamerkan kehilangan kuasa hanya 1/7 daripada SiC dan 1/49th peranti berasaskan silikon yang mengagumkan.

Kekerasan Ga2O3 yang lebih rendah berbanding dengan SiC memudahkan proses pembuatan, menyebabkan kos pemprosesan yang lebih rendah. Kelebihan ini meletakkan Ga2O3 sebagai alternatif kos efektif untuk pelbagai aplikasi.

Ditanam menggunakan kaedah cair fasa cecair, Ga2O3 mempunyai kualiti kristal yang unggul dengan ketumpatan kecacatan yang sangat rendah, mengatasi prestasi SiC, yang ditanam menggunakan kaedah fasa wap.

Ga2O3 mempamerkan kadar pertumbuhan 100 kali lebih cepat daripada SiC, menyumbang kepada kecekapan pengeluaran yang lebih tinggi dan, akibatnya, mengurangkan kos pembuatan.

Permohonan:

Peranti Kuasa: Substrat Ga2O3 bersedia untuk merevolusikan peranti kuasa, menawarkan empat peluang utama:

Peranti unipolar menggantikan peranti bipolar: MOSFET menggantikan IGBT dalam aplikasi seperti kenderaan tenaga baharu, stesen pengecasan, bekalan kuasa voltan tinggi, kawalan kuasa industri dan banyak lagi.

Kecekapan Tenaga yang Dipertingkatkan: Peranti kuasa substrat Ga2O3 adalah cekap tenaga, sejajar dengan strategi untuk neutraliti karbon dan pengurangan pelepasan karbon puncak.

Pengeluaran Berskala Besar: Dengan pemprosesan yang dipermudahkan dan fabrikasi cip yang menjimatkan kos, substrat Ga2O3 memudahkan pengeluaran berskala besar.

Kebolehpercayaan Tinggi: Substrat Ga2O3 dengan sifat bahan yang stabil dan struktur yang boleh dipercayai menjadikannya sesuai untuk aplikasi kebolehpercayaan tinggi, memastikan umur panjang dan prestasi yang konsisten.

Peranti RF: Substrat Ga2O3 ialah penukar permainan dalam pasaran peranti RF (Radio Frequency). Kelebihannya termasuk:

Kualiti Kristal: Substrat Ga2O3 membolehkan pertumbuhan epitaxial berkualiti tinggi, mengatasi masalah ketidakpadanan kekisi yang dikaitkan dengan substrat lain.

Pertumbuhan Kos Berkesan: Pertumbuhan kos efektif Ga2O3 pada substrat besar, terutamanya pada wafer 6 inci, menjadikannya pilihan yang kompetitif untuk aplikasi RF.

Potensi dalam Peranti GaN RF: Ketakpadanan kekisi minimum dengan GaN meletakkan Ga2O3 sebagai substrat yang ideal untuk peranti GaN RF berprestasi tinggi.

Hayati masa depan teknologi semikonduktor dengan Substrat Ga2O3, di mana sifat terobosan memenuhi kemungkinan tanpa had. Revolusikan kuasa dan aplikasi RF anda dengan bahan yang direka untuk kecemerlangan dan kecekapan.