Substrat AIN

Kekonduksian Terma yang Tidak Ditandingi dan Pengasingan Elektrik

Substrat AIN Semicorex menonjol terutamanya kerana kekonduksian terma yang luar biasa, yang penting untuk menguruskan haba dalam peranti elektronik berkuasa tinggi. Dengan kekonduksian terma standard pada 175 W/m·K, dan pilihan untuk kekonduksian terma tinggi (200 W/m·K) dan ultra-tinggi (230 W/m·K), Substrat AIN secara berkesan menghilangkan haba, memastikan jangka hayat dan kebolehpercayaan komponen. Ditambah dengan sifat pengasingan elektriknya yang kuat, Substrat AIN ialah bahan pilihan untuk sub-lekap, papan litar bercetak (PCB), dan pakej untuk komponen berkuasa tinggi, kebolehpercayaan tinggi, serta penyebar haba dan pelbagai litar elektronik.

Keserasian dengan Silikon dan Pengembangan Terma

Salah satu ciri menonjol Substrat AIN ialah pekali pengembangan terma (CTE), yang berjulat antara 4 hingga 6 x 10^-6/K antara 20 dan 1000°C. CTE ini dipadankan rapat dengan silikon, menjadikan Substrat AIN sebagai bahan yang ideal untuk industri semikonduktor dan pembungkusan peranti elektronik. Keserasian ini mengurangkan risiko tekanan haba dan memastikan penyepaduan yang lancar dengan komponen berasaskan silikon, meningkatkan prestasi dan kebolehpercayaan peranti secara keseluruhan.

Penyesuaian untuk Memenuhi Keperluan Pelbagai

Semicorex menawarkan perkhidmatan penyesuaian yang meluas untuk Substrat AIN, membolehkan penyelesaian yang disesuaikan untuk memenuhi keperluan aplikasi tertentu. Sama ada keperluan untuk jenis pengisaran, jenis tembakan segera, rintangan lentur yang tinggi, kekonduksian haba yang tinggi, jenis penggilap atau jenis scribing laser, Semicorex boleh menyediakan substrat yang dioptimumkan untuk ciri prestasi yang diingini. Tahap penyesuaian ini memastikan pelanggan menerima substrat yang memenuhi keperluan terma, mekanikal dan elektrik mereka dengan tepat.

Kepelbagaian dalam Metalisasi dan Aplikasi Elektronik

Substrat AIN oleh Semicorex serasi dengan pelbagai teknik pemetaan, termasuk Kuprum Bersalut Langsung (DPC), Kuprum Berikat Langsung (DBC), Pencetakan Filem Tebal, Pencetakan Filem Nipis dan Pemateri Logam Aktif (AMB). Fleksibiliti ini menjadikannya sesuai untuk pelbagai aplikasi elektronik, daripada LED berkuasa tinggi dan litar bersepadu (IC) kepada transistor bipolar pintu bertebat (IGBT) dan aplikasi bateri. Kebolehsuaian substrat kepada kaedah metalisasi yang berbeza memastikan ia boleh digunakan dengan berkesan dalam pelbagai sistem elektronik.

Keupayaan Reka Bentuk Ultra Nipis

Untuk aplikasi di mana ruang dan berat adalah pertimbangan kritikal, Semicorex menawarkan Substrat AIN dengan ketebalan setipis 0.1 mm. Keupayaan reka bentuk ultra nipis ini membolehkan pembangunan peranti elektronik padat dan ringan tanpa menjejaskan prestasi atau kebolehpercayaan. Keupayaan untuk menghasilkan substrat nipis sebegitu meluaskan lagi rangkaian aplikasi dan meningkatkan fleksibiliti reka bentuk untuk jurutera dan pereka.

Selamat dan Mesra Alam Alternatif kepada BeO

Dalam industri semikonduktor, Aluminium Nitride semakin diterima pakai sebagai pengganti Beryllium Oxide (BeO) kerana sifatnya yang tidak berbahaya di bawah pemesinan. Tidak seperti BeO, yang menimbulkan risiko kesihatan yang ketara semasa pemprosesan, AlN selamat untuk dikendalikan dan diproses, menjadikannya alternatif yang lebih mesra alam dan lebih selamat. Anjakan ini bukan sahaja meningkatkan keselamatan pekerja tetapi juga sejajar dengan peraturan alam sekitar yang lebih ketat dan matlamat kemampanan.

Kekuatan Mekanikal yang Tinggi

Kekuatan mekanikal Substrat AIN adalah satu lagi kelebihan kritikal. Dengan kekuatan dwipaksi melebihi 320 MPa, substrat memastikan ketahanan dan daya tahan di bawah tekanan mekanikal. Kekuatan mekanikal yang tinggi ini penting untuk aplikasi yang memerlukan bahan yang teguh dan boleh dipercayai, terutamanya dalam elektronik berkuasa tinggi dan persekitaran operasi yang keras. Ketahanan Substrat AIN menyumbang kepada jangka hayat dan kebolehpercayaan peranti di mana ia digunakan.

Spektrum Aplikasi yang Luas

Sifat unik Substrat AIN menjadikannya sesuai untuk spektrum luas aplikasi berkuasa tinggi dan berprestasi tinggi:

LED Kuasa Tinggi: Keupayaan pengurusan haba yang luar biasa bagi Substrat AIN memastikan operasi yang cekap dan jangka hayat LED berkuasa tinggi yang dilanjutkan.

Litar Bersepadu (IC): Pengasingan elektrik dan kekonduksian haba Substrat AIN menjadikannya pilihan ideal untuk IC, meningkatkan prestasi dan kebolehpercayaan.

Transistor Bipolar Gerbang Bertebat (IGBT): Keupayaan substrat untuk mengurus beban kuasa tinggi dan haba adalah penting untuk pengendalian IGBT dalam pelbagai aplikasi elektronik kuasa.

Aplikasi Bateri: Dalam teknologi bateri, Substrat AIN menyediakan pengurusan haba yang berkesan, meningkatkan keselamatan dan prestasi.

Aplikasi Piezoelektrik: Kekuatan mekanikal substrat dan sifat terma menyokong peranti piezoelektrik berketepatan tinggi.

Motor Berkuasa Tinggi: Kekonduksian terma dan ketahanan Substrat AIN meningkatkan kecekapan dan jangka hayat motor berkuasa tinggi.

Pengkomputeran Kuantum: Pengurusan haba yang tepat dan sifat pengasingan elektrik Substrat AIN menjadikannya sesuai untuk aplikasi pengkomputeran kuantum lanjutan.