ALD Planetary Susceptor

Permohonan:

Pemendapan dielektrik k tinggi: ALD Planetary Susceptor menunjukkan rintangan yang sangat baik terhadap prekursor agresif yang digunakan dalam mendepositkan bahan dielektrik tinggi k seperti hafnium oksida (HfO2) dan aluminium oksida (Al2O3). Ini menjadikan ALD Planetary Susceptor sesuai untuk menghasilkan transistor berprestasi tinggi untuk aplikasi logik dan memori.

Lapisan logam: Kestabilan suhu tinggi ALD Planetary Susceptor membolehkan pemendapan lapisan metalisasi pada suhu tinggi, yang membawa kepada sifat filem yang lebih baik seperti kerintangan yang lebih rendah dan ketumpatan yang lebih tinggi. Ini adalah penting untuk mewujudkan sambung yang cekap dalam peranti semikonduktor termaju.

Pembuatan peranti optoelektronik:Sifat lengai ALD Planetary Susceptor meminimumkan tindak balas yang tidak diingini dengan prekursor yang digunakan dalam mendepositkan bahan sensitif seperti semikonduktor III-V, menjadikan ALD Planetary Susceptor sesuai untuk mengeluarkan LED, laser dan komponen optoelektronik yang lain.

Kitaran ALD

Pemendapan Lapisan Atom (ALD)menawarkan beberapa kelebihan utama berbanding teknik pemendapan filem nipis lain, menjadikannya semakin popular untuk pelbagai aplikasi, terutamanya dalam mikroelektronik dan nanoteknologi.

Berikut adalah beberapa kelebihan utama ALD:

1. Kawalan Ketebalan Tahap Angstrom:

ALD membenarkan kawalan tepat ketebalan filem ke paras angstrom (0.1 nanometer). Tahap ketepatan ini dicapai melalui tindak balas permukaan yang mengehadkan sendiri, di mana setiap kitaran mendepositkan satu lapisan atom.

2. Keseragaman dan Kesesuaian Cemerlang:

ALD mempamerkan keseragaman yang luar biasa pada kawasan permukaan yang besar dan struktur 3D yang kompleks, termasuk ciri nisbah aspek tinggi seperti parit dan vias. Ini penting untuk aplikasi yang memerlukan salutan seragam pada geometri yang rumit, seperti dalam peranti semikonduktor.

3. Suhu Pemendapan Rendah:

ALD boleh dilakukan pada suhu yang agak rendah (selalunya di bawah 300°C) berbanding teknik pemendapan lain. Ini berfaedah untuk substrat sensitif haba dan membolehkan penggunaan bahan yang lebih luas.

4. Filem Berkualiti Tinggi:

ALD biasanya menghasilkan filem dengan ketumpatan yang sangat baik, tahap kekotoran yang rendah, dan keseragaman yang tinggi dalam komposisi dan ketebalan. Ciri-ciri ini penting untuk mencapai prestasi optimum dalam pelbagai aplikasi.

5. Pemilihan Bahan yang Luas:

ALD menawarkan pelbagai pilihan bahan yang boleh dimendapkan, termasuk oksida, nitrida, logam dan sulfida. Fleksibiliti ini menjadikannya sesuai untuk pelbagai aplikasi.

6. Kebolehskalaan dan Kebolehgunaan Perindustrian:

Teknologi ALD sangat berskala dan boleh disepadukan dengan mudah ke dalam proses pembuatan sedia ada. Ia serasi dengan pelbagai saiz dan bentuk substrat, menjadikannya sesuai untuk pengeluaran volum tinggi.