Sistem Epi Susceptor Tong untuk Epitaksi LPE

Sistem Semicorex Barrel Susceptor Epi untuk LPE Epitaxy ialah produk berkualiti tinggi yang menawarkan lekatan salutan yang unggul, ketulenan tinggi dan rintangan pengoksidaan suhu tinggi. Profil termanya yang sekata, corak aliran gas lamina, dan pencegahan pencemaran menjadikannya pilihan ideal untuk pertumbuhan lapisan epixial pada cip wafer. Keberkesanan kos dan kebolehsesuaiannya menjadikannya produk yang sangat kompetitif di pasaran.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Sistem Barrel Susceptor Epi kami untuk LPE Epitaxy ialah produk yang sangat inovatif yang menawarkan prestasi terma yang sangat baik, malah profil terma, dan lekatan salutan yang unggul. Ketulenannya yang tinggi, rintangan pengoksidaan suhu tinggi, dan rintangan kakisan menjadikannya produk yang sangat boleh dipercayai untuk digunakan dalam industri semikonduktor. Pencegahan pencemaran dan kekotoran serta keperluan penyelenggaraan yang rendah menjadikannya produk yang sangat kompetitif di pasaran.

Di Semicorex, kami memberi tumpuan kepada menyediakan produk berkualiti tinggi dan kos efektif kepada pelanggan kami. Sistem Barrel Susceptor Epi kami untuk LPE Epitaxy mempunyai kelebihan harga dan dieksport ke banyak pasaran Eropah dan Amerika. Kami menyasarkan untuk menjadi rakan kongsi jangka panjang anda, menyampaikan produk berkualiti yang konsisten dan perkhidmatan pelanggan yang luar biasa.

Hubungi kami hari ini untuk mengetahui lebih lanjut mengenai Sistem Barrel Susceptor Epi kami untuk LPE Epitaxy.

Parameter Sistem Epi Susceptor Tong untuk Epitaksi LPE

Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC
Sifat SiC-CVD
Struktur Kristal	Fasa FCC Î²
Ketumpatan	g/cm ³	3.21
Kekerasan	Kekerasan Vickers	2500
Saiz bijirin	Î¼m	2~10
Ketulenan Kimia	%	99.99995
Kapasiti Haba	J·kg-1 ·K-1	640
Suhu Sublimasi	℃	2700
Kekuatan Feleksural	MPa (RT 4 mata)	415
Modulus Muda	Gpa (4pt selekoh, 1300â)	430
Pengembangan Terma (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Kekonduksian terma	(W/mK)	300

Ciri-ciri Sistem Epi Susceptor Barrel untuk Epitaksi LPE

- Kedua-dua substrat grafit dan lapisan silikon karbida mempunyai ketumpatan yang baik dan boleh memainkan peranan perlindungan yang baik dalam suhu tinggi dan persekitaran kerja yang menghakis.

- Suseptor bersalut silikon karbida yang digunakan untuk pertumbuhan kristal tunggal mempunyai kerataan permukaan yang sangat tinggi.

- Kurangkan perbezaan dalam pekali pengembangan terma antara substrat grafit dan lapisan silikon karbida, dengan berkesan meningkatkan kekuatan ikatan untuk mengelakkan keretakan dan delaminasi.

- Kedua-dua substrat grafit dan lapisan silikon karbida mempunyai kekonduksian terma yang tinggi, dan sifat pengagihan haba yang sangat baik.

- Takat lebur tinggi, rintangan pengoksidaan suhu tinggi, rintangan kakisan.